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0.11微米DRAM制造合金化工艺良率改善

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-5页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-9页
第二章 炉管硬件介绍第9-11页
   ·炉管分类第9-11页
     ·常压炉管:AP Furnace:ATM pressure(No pump)第9-10页
     ·低压炉管:LP Furnace:Low Pressure(Have Pump)第10-11页
第三章 炉管工艺原理及其应用第11-22页
   ·炉管工艺原理第11-18页
     ·氧化原理第11-14页
     ·LPCVD原理第14-16页
     ·退火原理第16-18页
   ·炉管制程应用第18-22页
     ·高温炉管应用简介第18-19页
     ·工艺介绍第19-22页
第四章 ALLOY工艺中金属半导体接触研究第22-33页
   ·金属半导体接触理论第22-28页
     ·肖特基势垒高度第23页
     ·钉扎现象第23-24页
     ·载流子的输运过程第24-25页
     ·载流子的输运方程第25-27页
     ·比接触电阻ρ_c第27-28页
   ·nN结理论第28-32页
     ·异质结欧姆接触理论第28页
     ·nN型异质结第28-30页
     ·界面态的影响第30页
     ·nn+型同质结的影响第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第五章 ALLOY工艺欧姆接触的处理实验第33-40页
   ·NMOS结漏电及失效分析第34-35页
   ·阻挡层改进实验第35-39页
     ·实验一:组成的台阶覆盖研究第35-37页
     ·实验二:阻挡层厚度及RTP实验第37-38页
     ·实验三:阻挡层的应力研究第38-39页
   ·本章结论第39-40页
第六章 ALLOY工艺制造中的良率改进第40-47页
   ·问题描述第40-41页
   ·问题分析第41-45页
     ·产品历史分析第41-42页
     ·机台硬件分析第42-44页
     ·ALLOY工艺分析第44-45页
   ·问题解决第45-47页
第7章 结论第47-48页
参考文献第48-49页
发表论文和参加科研情况说明第49-50页
致谢第50页

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