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纳米级集成电路分辨率增强技术研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目录第6-8页
第1章 绪论第8-18页
   ·集成电路设计和制造技术发展概况第8-11页
   ·集成电路EDA技术发展概况第11-12页
   ·纳米级集成电路可制造性问题第12-15页
   ·目前世界上相关的研究状况第15-17页
   ·本文完成的主要工作第17-18页
第2章 集成电路光刻制造工艺及流程第18-35页
   ·集成电路物理设计简介第18-20页
   ·光刻工艺流程第20-23页
   ·光刻成像系统第23-26页
   ·光刻分辨率增强技术第26-35页
     ·光学邻近校正第28-30页
     ·移相掩模第30-32页
     ·散射条插入第32-35页
第3章 光学邻近校正的EDA工具实现第35-50页
   ·工作流程简述第35-36页
   ·光刻系统建模及光刻模拟快速算法第36-40页
     ·投射曝光模型和CSPLAT基本算法与实现第36-38页
     ·光刻胶阈值模型第38-39页
     ·可变偏移模型第39-40页
     ·光刻模拟快速算法第40页
   ·内容驱动的灵活切分第40-44页
   ·基于内容的校正第44-46页
   ·实例结果分析第46-50页
第4章 移相掩模的EDA工具实现第50-61页
   ·工作流程及参数设计第50-54页
     ·工作流程简述第50-51页
     ·控制脚本及参数设计第51-54页
   ·相位分配及兼容性检查第54-57页
   ·实例结果分析第57-61页
第5章 散射条插入的EDA工具实现第61-68页
   ·工作流程及参数设计第61-64页
   ·版图关键尺寸检查第64-66页
   ·实例结果分析第66-68页
第6章 总结和展望第68-71页
参考文献第71-76页
作者在研究生期间发表的论文第76-77页
论文《Engineering Index》检索结果证明第77-78页
论文《ISTP》检索结果证明第78-79页
致谢第79页

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