| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·集成电路发展面临的可靠性新问题 | 第10-12页 |
| ·现有微电子器件可靠性模型的局限性 | 第12-13页 |
| ·本文的主导思想和主要内容 | 第13-15页 |
| ·论文章节安排 | 第15-17页 |
| 第二章 微电子器件可靠性问题及其特点 | 第17-27页 |
| ·常见可靠性问题 | 第17-24页 |
| ·可靠性问题的共同特点 | 第24-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 逾渗理论及其在可靠性建模中的应用 | 第27-47页 |
| ·逾渗理论简介 | 第27-32页 |
| ·逾渗理论处理可靠性问题 | 第32-38页 |
| ·逾渗理论处理可靠性问题方法和模型 | 第38-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型 | 第47-67页 |
| ·栅氧化层工艺与结构 | 第47-49页 |
| ·应力作用下栅氧化层中缺陷的产生机制 | 第49-51页 |
| ·栅氧化层缺陷的能态 | 第51-52页 |
| ·电导逾渗和击穿触发 | 第52-54页 |
| ·栅氧化层TDDB的逾渗模型 | 第54-60页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第60-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第五章 金属互连线电迁移及其噪声的逾渗模型 | 第67-89页 |
| ·VLSI金属互连线电迁移简介 | 第67-70页 |
| ·金属互连线的电迁移失效机理 | 第70-73页 |
| ·互连线电迁移的逾渗理论模型 | 第73-76页 |
| ·互连线电迁移的逾渗模拟 | 第76-78页 |
| ·电迁移噪声的逾渗模型 | 第78-80页 |
| ·模拟结果与分析 | 第80-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 第六章 小尺寸MOSFET中1/f噪声的逾渗模型 | 第89-103页 |
| ·1/f噪声与MOSFET可靠性的关系 | 第89-90页 |
| ·现有的MOSFET中1/f噪声模型 | 第90-91页 |
| ·氧化层及界面陷阱 | 第91-93页 |
| ·小尺寸MOSFET中1/f噪声的产生机制 | 第93-94页 |
| ·小尺寸MOSFET中1/f噪声的逾渗模型 | 第94-96页 |
| ·模拟与结果分析 | 第96-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 第七章 深亚微米MOSFET中RTS噪声的逾渗模型 | 第103-118页 |
| ·RTS噪声简介 | 第103-104页 |
| ·RTS噪声的产生机理 | 第104-108页 |
| ·RTS噪声的逾渗模型 | 第108-111页 |
| ·模拟与结果分析 | 第111-117页 |
| ·小结 | 第117-118页 |
| 第八章 总结 | 第118-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-131页 |
| 研究成果 | 第131页 |