摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 引言 | 第6-11页 |
·课题背景 | 第6页 |
·BPSG工艺的发展历史简述 | 第6-8页 |
·本文课题的背景和研究目的 | 第8-10页 |
·本文的组织结构 | 第10-11页 |
第二章 背景知识 | 第11-22页 |
·CVD工艺概述及其原理 | 第11-14页 |
·CVD工艺概述 | 第11-12页 |
·CVD工艺原理 | 第12-14页 |
·CVD工艺的分类 | 第14-15页 |
·SABPSG简介 | 第15-17页 |
·SABPSG的工艺原理 | 第15页 |
·SABPSG的设备 | 第15-17页 |
·SABPSG的主要性能参数及分析测试手段 | 第17-19页 |
·DOE技术简介 | 第19-22页 |
第三章 SABPSG颗粒度的研究 | 第22-32页 |
·SABPSG颗粒的特征分析 | 第22页 |
·硬件的改进 | 第22-27页 |
·气体管路的改进 | 第22-23页 |
·反应腔的改进 | 第23-25页 |
·传送部件的改进 | 第25-26页 |
·硬件改进的效果验证 | 第26-27页 |
·析出型颗粒的研究 | 第27-31页 |
·表面颗粒的发现 | 第27-28页 |
·特征分析 | 第28-29页 |
·成因分析 | 第29-30页 |
·析出型颗粒的预防措施 | 第30-31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
第四章 SABPSG工艺稳定性的优化 | 第32-44页 |
·SABPSG掺杂流量的选择问题 | 第32-33页 |
·浓度测量系统分析 | 第33-35页 |
·SABPSG的DOE | 第35-43页 |
·试验方案的设计 | 第35-38页 |
·试验结果的处理 | 第38-42页 |
·优化结果的验证 | 第42-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
第五章 SABPSG成膜质量的优化 | 第44-52页 |
·电容器在DRAM中作用 | 第44-45页 |
·SABPS6工序与O.16 μ m DRAM电容值的相关性分析 | 第45-48页 |
·位线制造工艺流程分析 | 第45-47页 |
·电容制造工艺流程分析 | 第47-48页 |
·提高SABPSG成膜质量的实验 | 第48-50页 |
·加热回流的实验 | 第48页 |
·硼磷掺杂浓度的分组实验 | 第48-50页 |
·载气组分的实验 | 第50页 |
·改进方案的选择评估 | 第50-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第六章 总结与展望 | 第52-54页 |
·论文总结 | 第52页 |
·展望 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-56页 |
附录A 相关专业术语中英文对照表 | 第56-59页 |
致谢 | 第59-60页 |