| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 图录 | 第11-13页 |
| 表录 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 课题背景 | 第14-15页 |
| 1.2 集成电路对 PMD 层薄膜的基本要求 | 第15-17页 |
| 1.3 PMD 层薄膜的工艺发展 | 第17-19页 |
| 1.4 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜在 PMD 层的应用 | 第19-21页 |
| 1.5 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜制备中存在的问题 | 第21-23页 |
| 1.5.1 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜纵向磷浓度分布不均匀的问题 | 第21页 |
| 1.5.2 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜膜厚面内分布的倾向性问题 | 第21-22页 |
| 1.5.3 栅极周围的特殊磷掺杂分布的研究 | 第22-23页 |
| 1.6 本文的主要研究工作 | 第23-24页 |
| 第二章 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜的制备工艺研究 | 第24-44页 |
| 2.1 HDPCVD | 第24-29页 |
| 2.1.1 HDPCVD 工艺原理 | 第24-27页 |
| 2.1.2 HDPCVD 设备构造 | 第27-29页 |
| 2.2 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜的反应机理 | 第29-31页 |
| 2.3 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜的成膜过程 | 第31-32页 |
| 2.4 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜性能的表征参数 | 第32-35页 |
| 2.5 工艺集成对高浓度 HDPCVD PSG 薄膜的性能要求 | 第35-36页 |
| 2.6 基础实验结果 | 第36-40页 |
| 2.7 工艺参数对高浓度 HDPCVD PSG 薄膜性能的影响 | 第40-43页 |
| 2.7.1 工艺参数对薄膜厚度的影响 | 第40-41页 |
| 2.7.2 工艺参数对薄膜折射率的影响 | 第41-42页 |
| 2.7.3 工艺参数对薄膜应力的影响 | 第42页 |
| 2.7.4 工艺参数对薄膜磷含量的影响 | 第42-43页 |
| 2.8 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 与高浓度 HDPCVD PSG 薄膜相关的问题及解决 | 第44-68页 |
| 3.1 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜纵向磷浓度分布不均匀的问题及解决 | 第44-51页 |
| 3.1.1 问题描述 | 第44页 |
| 3.1.2 检测手段 | 第44-45页 |
| 3.1.3 机理分析 | 第45-48页 |
| 3.1.4 探寻解决方法 | 第48-51页 |
| 3.2 高浓度 HDPCVD PSG 薄膜膜厚面内分布的倾向性控制问题及解决 | 第51-56页 |
| 3.2.1 问题描述 | 第51-52页 |
| 3.2.2 硅片中心失效与 HDPCVD PSG 薄膜膜厚面内分布的相关性 | 第52-54页 |
| 3.2.3 问题解决 | 第54-56页 |
| 3.3 栅极周围出现的特殊磷掺杂分布的研究 | 第56-67页 |
| 3.3.1 问题描述 | 第56-57页 |
| 3.3.2 机理探讨 | 第57-63页 |
| 3.3.3 影响 Flower Pattern 的关键参数 | 第63-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 总结和展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第74页 |
