| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·失效分析的概述 | 第8页 |
| ·失效机理分类 | 第8-9页 |
| ·研究失效机理的意义 | 第9-10页 |
| 第二章 集成电路失效分析流程 | 第10-13页 |
| ·失效分析流程遵循的基本规律 | 第10页 |
| ·失效分析的步骤 | 第10-11页 |
| ·失效分析应用到的技术 | 第11-12页 |
| ·失效分析流程实例 | 第12-13页 |
| 第三章 集成电路失效分析技术的研究 | 第13-41页 |
| ·失效现象确认 | 第13-14页 |
| ·开封前检查 | 第14-18页 |
| ·外观检查 | 第14-15页 |
| ·X射线检查 | 第15页 |
| ·扫描声学显微镜检查 | 第15-18页 |
| ·打开封装 | 第18-19页 |
| ·镜检 | 第19页 |
| ·电性分析 | 第19-31页 |
| ·缺陷定位 | 第20-30页 |
| ·Emission显微镜 | 第20-26页 |
| ·OBIRCH分析技术 | 第26-29页 |
| ·液晶热点检测技术 | 第29-30页 |
| ·电路分析 | 第30页 |
| ·微探针检测分析 | 第30-31页 |
| ·物理分析 | 第31-39页 |
| ·剥层(Deprocessing) | 第31页 |
| ·聚焦离子束(FIB) | 第31-34页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34-36页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第36-37页 |
| ·VC定位技术 | 第37-38页 |
| ·缺陷化学成分分析 | 第38-39页 |
| ·完成分析报告 | 第39-41页 |
| 第四章 失效分析技术在实践中的应用研究 | 第41-56页 |
| ·应用Emission配合OBIRCH发现缺陷的研究 | 第41-44页 |
| ·应用微探针检测配合OBIRCH发现缺陷的研究 | 第44-46页 |
| ·应用SDL技术发现缺陷的研究 | 第46-49页 |
| ·应用OBIRCH技术对金属层空洞的研究 | 第49-51页 |
| ·应用OBIRCH技术对金属层短路的研究 | 第51-52页 |
| ·应用VC定位技术对连接孔失效的研究 | 第52-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |