| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| 1.1 PVD工艺在集成电路(IC)制造过程中的重要性 | 第6-7页 |
| 1.2 PVD铝工艺面临的问题 | 第7-10页 |
| 1.3 电迁移的改进方法 | 第10-11页 |
| 1.4 互连金属层铝合金特性 | 第11页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 PVD工艺的基本原理 | 第12-22页 |
| 2.1 物理气相淀积(PVD)概述 | 第12页 |
| 2.2 蒸发 | 第12-14页 |
| 2.3 溅射 | 第14-19页 |
| 2.4 真空系统 | 第19-20页 |
| 2.5 原子层淀积 | 第20页 |
| 2.6 本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 PVD Ti/TiN-Al(Cu)-Ti/TiN工艺研究 | 第22-33页 |
| 3.1 基于INOVA NExT PVD机台介绍 | 第22-24页 |
| 3.2 Ti/TiN-Al(Cu)-Ti/TiN薄膜功能 | 第24-25页 |
| 3.3 PVD铝工艺检测流程 | 第25页 |
| 3.4 PVD工艺验证 | 第25-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 Arcing问题研究 | 第33-40页 |
| 4.1 Arcing的定义及其现象 | 第33-34页 |
| 4.2 Arcing产生原因 | 第34-37页 |
| 4.3 通过优化硬件设计来减少Arcing发生的次数 | 第37-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 环状缺陷和铜析出问题研究 | 第40-51页 |
| 5.1 环状缺陷 | 第40-44页 |
| 5.2 铜析出问题研究 | 第44-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 全文总结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
