| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 注释表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-27页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 锗的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.2.1 锗的应用 | 第15-16页 |
| 1.2.2 锗的加工技术 | 第16-18页 |
| 1.2.3 锗晶片的需求和标准 | 第18-19页 |
| 1.3 锗晶片的热变形 | 第19-24页 |
| 1.3.1 热变形基础理论 | 第20-22页 |
| 1.3.2 热变形的影响因素 | 第22-24页 |
| 1.4 研究意义及研究内容 | 第24-27页 |
| 1.4.1 课题研究意义 | 第24页 |
| 1.4.2 课题研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 升温速率对锗晶片变形影响仿真研究 | 第27-42页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 热-结构耦合仿真简介 | 第27-28页 |
| 2.3 升温速率对锗晶片变形影响有限元仿真 | 第28-32页 |
| 2.3.1 升温速率对锗晶片变形影响有限元模型的建立 | 第29-32页 |
| 2.3.2 升温速率对锗晶片变形影响仿真计算流程 | 第32页 |
| 2.4 升温速率对锗晶片变形影响仿真计算结果与分析 | 第32-41页 |
| 2.4.1 有限元模型仿真结果分析 | 第32-36页 |
| 2.4.2 升温速率对锗晶片变形影响 | 第36-38页 |
| 2.4.3 锗晶片厚度对变形的影响 | 第38-39页 |
| 2.4.4 锗晶片直径对变形的影响 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 半导体温控箱的设计与制备 | 第42-59页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 半导体温控发展状况 | 第42-46页 |
| 3.2.1 半导体温控基本原理 | 第43-45页 |
| 3.2.2 半导体控温性能研究 | 第45-46页 |
| 3.3 温控系统的建立 | 第46-52页 |
| 3.3.1 箱体设计 | 第46-48页 |
| 3.3.2 温控模块设计 | 第48-50页 |
| 3.3.3 温控箱测温模块设计 | 第50页 |
| 3.3.4 散热模块设计 | 第50-51页 |
| 3.3.5 温控箱的制作与需要注意的问题 | 第51-52页 |
| 3.4 半导体温控箱的性能介绍 | 第52-57页 |
| 3.4.1 半导体温控箱性能研究 | 第52-54页 |
| 3.4.2 温控箱升温速率与电压关系 | 第54-56页 |
| 3.4.3 需求电压的选择与验证 | 第56-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 升温速率对锗晶片变形影响实验研究 | 第59-84页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 锗晶片的预处理 | 第59-61页 |
| 4.2.1 锗锭的切割 | 第59-60页 |
| 4.2.2 锗晶片的研磨、抛光 | 第60-61页 |
| 4.3 锗晶片变形评定参数 | 第61-66页 |
| 4.3.1 变形评定参数概述 | 第61-63页 |
| 4.3.2 测量设备简介 | 第63-64页 |
| 4.3.3 测量平台设计与制作 | 第64页 |
| 4.3.4 测量数据处理 | 第64-66页 |
| 4.4 锗晶片加工处理 | 第66-67页 |
| 4.4.1 高低温试验箱降温及验证 | 第66页 |
| 4.4.2 温控箱升温处理 | 第66-67页 |
| 4.5 实验结果及数据分析 | 第67-75页 |
| 4.5.1 不同升温速率对锗晶片变形影响 | 第67-72页 |
| 4.5.2 锗晶片厚度对升温引起变形的影响 | 第72-74页 |
| 4.5.3 锗晶片直径对升温引起变形的影响 | 第74-75页 |
| 4.6 升温处理对裂纹及内应力影响 | 第75-80页 |
| 4.6.1 升温处理对裂纹变化的影响 | 第75-77页 |
| 4.6.2 升温处理对内应力的影响 | 第77-80页 |
| 4.7 锗晶片弯曲变形机理研究 | 第80-81页 |
| 4.8 残余应力对弯曲变形的影响 | 第81-82页 |
| 4.9 本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 5.1 总结 | 第84-85页 |
| 5.2 展望 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 在校期间研究成果及发表的学术论文 | 第93页 |