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传统记忆体封装形式中铜导线替代金导线的可行性研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-12页
第一章 铜导线可替代性研究的课题背景及研究方法介绍第12-20页
   ·传统记忆体封装流程介绍第12-18页
     ·封装流程介绍第13页
     ·封装的分类形式第13-14页
     ·IC 封装形态比较第14-16页
     ·传统记忆体封装形式介绍第16页
     ·封装主要工艺站点介绍第16-18页
   ·丝球键合评估标准第18-19页
   ·论文的主要内容与章节安排第19-20页
第二章 铜导线键合优势和劣势分析第20-26页
   ·铜导线和金导线性能比较第20-24页
     ·铜导线优势第20-22页
     ·铜导线劣势第22-24页
   ·铜导线封装主要问题的解决方案第24-25页
     ·铜易氧化问题的解决方案第24-25页
     ·铜高硬度和铜铝化合物不易形成问题的解决方案第25页
   ·小结第25-26页
第三章 工业生产中铜导线键合参数实验评估第26-42页
   ·实际生产中使用的铜导线基本介绍第26-29页
     ·两种铜导线基本性能介绍第26-27页
     ·不同尺寸铜导线物理特性比较第27页
     ·铜导线自身可靠性评估第27-29页
   ·保护气体成分配比和流量控制实验数据第29-30页
     ·保护气体成分配比实验数据第29页
     ·保护气体流量控制实验数据第29-30页
   ·铜导线键合性能与工业参数之间的关系第30-34页
     ·烧球质量与火花放电工艺相关性第31-32页
     ·烧球直径与超音波相关性第32页
     ·铜线抗剪强度与超音功率,压力,频率和温度变化相关性第32-33页
     ·铜导线初期型变量第33-34页
     ·球厚度与压力相关性第34页
   ·铜线键合工艺参数选择实验第34-40页
     ·评估方案拟定第34-35页
     ·球键合参数评估第35-39页
     ·楔键合参数评估第39页
     ·塑封压模评估第39-40页
   ·对铜铝 IMC 形成的参数选择实验第40-41页
   ·小结第41-42页
第四章 铜单线键合可靠性和失效分析第42-44页
   ·传统导线键合的可靠性分析流程第42-43页
   ·铜导线可靠性分析和失效评估方法第43页
   ·小结第43-44页
第五章 铜导线未来发展趋势第44-49页
   ·防止铜氧化的其他控制方法介绍第44-47页
     ·镀钯导线介绍第44-45页
     ·ABW 线的优点第45-47页
   ·小结第47-49页
第六章 结束语第49-51页
   ·主要工作与创新点第49页
   ·后续研究工作第49-51页
参考文献第51-53页
致谢第53-54页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第54-56页

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