摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-12页 |
第一章 铜导线可替代性研究的课题背景及研究方法介绍 | 第12-20页 |
·传统记忆体封装流程介绍 | 第12-18页 |
·封装流程介绍 | 第13页 |
·封装的分类形式 | 第13-14页 |
·IC 封装形态比较 | 第14-16页 |
·传统记忆体封装形式介绍 | 第16页 |
·封装主要工艺站点介绍 | 第16-18页 |
·丝球键合评估标准 | 第18-19页 |
·论文的主要内容与章节安排 | 第19-20页 |
第二章 铜导线键合优势和劣势分析 | 第20-26页 |
·铜导线和金导线性能比较 | 第20-24页 |
·铜导线优势 | 第20-22页 |
·铜导线劣势 | 第22-24页 |
·铜导线封装主要问题的解决方案 | 第24-25页 |
·铜易氧化问题的解决方案 | 第24-25页 |
·铜高硬度和铜铝化合物不易形成问题的解决方案 | 第25页 |
·小结 | 第25-26页 |
第三章 工业生产中铜导线键合参数实验评估 | 第26-42页 |
·实际生产中使用的铜导线基本介绍 | 第26-29页 |
·两种铜导线基本性能介绍 | 第26-27页 |
·不同尺寸铜导线物理特性比较 | 第27页 |
·铜导线自身可靠性评估 | 第27-29页 |
·保护气体成分配比和流量控制实验数据 | 第29-30页 |
·保护气体成分配比实验数据 | 第29页 |
·保护气体流量控制实验数据 | 第29-30页 |
·铜导线键合性能与工业参数之间的关系 | 第30-34页 |
·烧球质量与火花放电工艺相关性 | 第31-32页 |
·烧球直径与超音波相关性 | 第32页 |
·铜线抗剪强度与超音功率,压力,频率和温度变化相关性 | 第32-33页 |
·铜导线初期型变量 | 第33-34页 |
·球厚度与压力相关性 | 第34页 |
·铜线键合工艺参数选择实验 | 第34-40页 |
·评估方案拟定 | 第34-35页 |
·球键合参数评估 | 第35-39页 |
·楔键合参数评估 | 第39页 |
·塑封压模评估 | 第39-40页 |
·对铜铝 IMC 形成的参数选择实验 | 第40-41页 |
·小结 | 第41-42页 |
第四章 铜单线键合可靠性和失效分析 | 第42-44页 |
·传统导线键合的可靠性分析流程 | 第42-43页 |
·铜导线可靠性分析和失效评估方法 | 第43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第五章 铜导线未来发展趋势 | 第44-49页 |
·防止铜氧化的其他控制方法介绍 | 第44-47页 |
·镀钯导线介绍 | 第44-45页 |
·ABW 线的优点 | 第45-47页 |
·小结 | 第47-49页 |
第六章 结束语 | 第49-51页 |
·主要工作与创新点 | 第49页 |
·后续研究工作 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-53页 |
致谢 | 第53-54页 |
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第54-56页 |