| 1 绪论 | 第1-14页 |
| 1．1 SOI技术的发展过程 | 第9-11页 |
| 1．2 SOI技术相对于体硅的优越性 | 第11-13页 |
| 1．3 本论文的主要任务及指标 | 第13-14页 |
| 2 SOI材料及器件的若干物理问题 | 第14-32页 |
| 2．1 SOI材料的制备 | 第14-17页 |
| 2．2 SOI器件的若干物理问题 | 第17-24页 |
| 2．2．1 阈值电压 | 第19-20页 |
| 2．2．2 亚阈值斜率 | 第20-21页 |
| 2．2．3 浮体效应 | 第21-23页 |
| 2．2．4 短沟道效应 | 第23-24页 |
| 2．3 SOI CMOS工艺特点 | 第24-29页 |
| 2．3．1 隔离技术 | 第25-26页 |
| 2．3．2 杂质分布 | 第26-29页 |
| 2．4 SOI技术的应用 | 第29-32页 |
| 3 SOI MOSFET器件的模拟 | 第32-40页 |
| 3．1 BSIM3SOI模型 | 第32-33页 |
| 3．2 参数的提取 | 第33-34页 |
| 3．3 模拟结果与分析 | 第34-40页 |
| 4 SOI CMOS电脉冲时间间隔测定电路的设计 | 第40-50页 |
| 4．1 电路设计 | 第40-46页 |
| 4．1．1 延迟电路单元（delay circuit） | 第42-43页 |
| 4．1．2 选通控制器（ctrl strobe） | 第43-44页 |
| 4．1．3 多路选择器（MUX） | 第44-46页 |
| 4．2 版图设计 | 第46-50页 |
| 4．2．1 布局布线设计 | 第46-48页 |
| 4．2．2 版图检查 | 第48-50页 |
| 5 抗辐射优化设计 | 第50-59页 |
| 5．1 辐射环境 | 第50-51页 |
| 5．2 辐射引起的各种效应 | 第51-54页 |
| 5．2．1 单粒子效应 | 第51-53页 |
| 5．2．2 电离总剂量效应 | 第53-54页 |
| 5．3 抗辐射设计 | 第54-59页 |
| 5．3．1 工艺技术加固 | 第54-56页 |
| 5．3．2 抗辐射版图优化设计 | 第56-59页 |
| 6 芯片试制与测试结果分析 | 第59-65页 |
| 6．1 制造工艺流程 | 第59-62页 |
| 6．2 芯片测试及结果分析 | 第62-65页 |
| 6．2．1 器件特性测试结果 | 第62-63页 |
| 6．2．2 电路功能测试结果 | 第63页 |
| 6．2．3 电路的抗辐射性能测试 | 第63-65页 |
| 结束语 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 附录 | 第71页 |