摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
符号对照表 | 第15-19页 |
缩略语对照表 | 第19-24页 |
第一章 绪论 | 第24-36页 |
1.1 GaN材料及器件特点 | 第24-26页 |
1.2 GaN功率放大器研究现状 | 第26-33页 |
1.2.1 大功率放大器 | 第26-29页 |
1.2.2 高效率功率放大器 | 第29-32页 |
1.2.3 宽带功率放大器 | 第32-33页 |
1.3 本文主要研究内容 | 第33-36页 |
第二章 AlGaN/GaNHEMT器件工艺及建模 | 第36-60页 |
2.1 AlGaN/GaNHEMT器件工作原理 | 第36-38页 |
2.2 AlGaN/GaNHEMT器件工艺流程 | 第38-43页 |
2.2.1 AlGaN/GaN异质结材料生长 | 第38-39页 |
2.2.2 HEMT器件制备 | 第39-43页 |
2.3 AlGaN/GaNHEMT器件建模 | 第43-58页 |
2.3.1 器件测试与表征 | 第43-50页 |
2.3.2 小信号建模与参数提取 | 第50-56页 |
2.3.3 大信号建模与参数提取 | 第56-58页 |
2.4 本章小结 | 第58-60页 |
第三章 X波段大功率放大器 | 第60-90页 |
3.1 X波段内匹配功率放大器 | 第60-74页 |
3.1.1 负载牵引技术 | 第60-64页 |
3.1.2 内匹配电路设计 | 第64-69页 |
3.1.3 测试夹具设计 | 第69-71页 |
3.1.4 实现与测试 | 第71-74页 |
3.2 X波段外匹配合成功率放大器 | 第74-83页 |
3.2.1 Wilkinson功率合成器原理 | 第74-76页 |
3.2.2 外匹配功率合成电路 | 第76-80页 |
3.2.3 实现与测试 | 第80-83页 |
3.3 X波段功率放大器尺寸缩小研究 | 第83-89页 |
3.3.1 内匹配多路合成功率放大器 | 第83-86页 |
3.3.2 实现与测试 | 第86-89页 |
3.4 本章小结 | 第89-90页 |
第四章 X波段高效率功率放大器 | 第90-116页 |
4.1 高效率功率放大器的发展 | 第90-98页 |
4.1.1 降低导通角:A、AB、B、C类 | 第90-93页 |
4.1.2 开关类:D类和E类 | 第93-97页 |
4.1.3 谐波控制类:F类和逆F类 | 第97-98页 |
4.2 膝点电压对F类功率放大器的影响 | 第98-106页 |
4.2.1 F类功率放大器三次谐波的讨论 | 第99-101页 |
4.2.2 膝点电压对F类功率放大器性能的影响 | 第101-104页 |
4.2.3 膝点电压对最佳阻抗点的影响 | 第104-105页 |
4.2.4 仿真结果验证 | 第105-106页 |
4.3 X波段逆F类功率放大器的实现 | 第106-115页 |
4.3.1 寄生效应对逆F类功率放大器的影响 | 第106-108页 |
4.3.2 考虑寄生效应的补偿设计方法 | 第108-112页 |
4.3.3 X波段内匹配逆F类功率放大器的实现与测试 | 第112-115页 |
4.4 本章小结 | 第115-116页 |
第五章 C波段宽带功率放大器 | 第116-144页 |
5.1 负载线匹配理论 | 第116-124页 |
5.1.1 增益匹配与功率匹配 | 第116-120页 |
5.1.2 负载线理论 | 第120-124页 |
5.2 双频匹配新方法研究 | 第124-134页 |
5.2.1 双频匹配问题 | 第124-125页 |
5.2.2 传统解决方法 | 第125-128页 |
5.2.3 图形解决方法 | 第128-131页 |
5.2.4 方法验证 | 第131-134页 |
5.3 C波段宽带功率放大器的实现 | 第134-142页 |
5.3.1 负载线理论推广 | 第134-137页 |
5.3.2 宽带匹配设计 | 第137-140页 |
5.3.3 实现与测试 | 第140-142页 |
5.4 本章小结 | 第142-144页 |
第六章 结束语 | 第144-148页 |
6.1 本论文主要工作 | 第144-146页 |
6.2 未来工作展望 | 第146-148页 |
参考文献 | 第148-160页 |
致谢 | 第160-162页 |
作者简介 | 第162-164页 |