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C~X波段氮化镓高效率大功率放大器研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
符号对照表第15-19页
缩略语对照表第19-24页
第一章 绪论第24-36页
    1.1 GaN材料及器件特点第24-26页
    1.2 GaN功率放大器研究现状第26-33页
        1.2.1 大功率放大器第26-29页
        1.2.2 高效率功率放大器第29-32页
        1.2.3 宽带功率放大器第32-33页
    1.3 本文主要研究内容第33-36页
第二章 AlGaN/GaNHEMT器件工艺及建模第36-60页
    2.1 AlGaN/GaNHEMT器件工作原理第36-38页
    2.2 AlGaN/GaNHEMT器件工艺流程第38-43页
        2.2.1 AlGaN/GaN异质结材料生长第38-39页
        2.2.2 HEMT器件制备第39-43页
    2.3 AlGaN/GaNHEMT器件建模第43-58页
        2.3.1 器件测试与表征第43-50页
        2.3.2 小信号建模与参数提取第50-56页
        2.3.3 大信号建模与参数提取第56-58页
    2.4 本章小结第58-60页
第三章 X波段大功率放大器第60-90页
    3.1 X波段内匹配功率放大器第60-74页
        3.1.1 负载牵引技术第60-64页
        3.1.2 内匹配电路设计第64-69页
        3.1.3 测试夹具设计第69-71页
        3.1.4 实现与测试第71-74页
    3.2 X波段外匹配合成功率放大器第74-83页
        3.2.1 Wilkinson功率合成器原理第74-76页
        3.2.2 外匹配功率合成电路第76-80页
        3.2.3 实现与测试第80-83页
    3.3 X波段功率放大器尺寸缩小研究第83-89页
        3.3.1 内匹配多路合成功率放大器第83-86页
        3.3.2 实现与测试第86-89页
    3.4 本章小结第89-90页
第四章 X波段高效率功率放大器第90-116页
    4.1 高效率功率放大器的发展第90-98页
        4.1.1 降低导通角:A、AB、B、C类第90-93页
        4.1.2 开关类:D类和E类第93-97页
        4.1.3 谐波控制类:F类和逆F类第97-98页
    4.2 膝点电压对F类功率放大器的影响第98-106页
        4.2.1 F类功率放大器三次谐波的讨论第99-101页
        4.2.2 膝点电压对F类功率放大器性能的影响第101-104页
        4.2.3 膝点电压对最佳阻抗点的影响第104-105页
        4.2.4 仿真结果验证第105-106页
    4.3 X波段逆F类功率放大器的实现第106-115页
        4.3.1 寄生效应对逆F类功率放大器的影响第106-108页
        4.3.2 考虑寄生效应的补偿设计方法第108-112页
        4.3.3 X波段内匹配逆F类功率放大器的实现与测试第112-115页
    4.4 本章小结第115-116页
第五章 C波段宽带功率放大器第116-144页
    5.1 负载线匹配理论第116-124页
        5.1.1 增益匹配与功率匹配第116-120页
        5.1.2 负载线理论第120-124页
    5.2 双频匹配新方法研究第124-134页
        5.2.1 双频匹配问题第124-125页
        5.2.2 传统解决方法第125-128页
        5.2.3 图形解决方法第128-131页
        5.2.4 方法验证第131-134页
    5.3 C波段宽带功率放大器的实现第134-142页
        5.3.1 负载线理论推广第134-137页
        5.3.2 宽带匹配设计第137-140页
        5.3.3 实现与测试第140-142页
    5.4 本章小结第142-144页
第六章 结束语第144-148页
    6.1 本论文主要工作第144-146页
    6.2 未来工作展望第146-148页
参考文献第148-160页
致谢第160-162页
作者简介第162-164页

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