| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 概论 | 第6-8页 |
| 1.1 引言 | 第6页 |
| 1.2 半导体制造的现状 | 第6-7页 |
| 1.3 半导体失效分析的介绍 | 第7页 |
| 1.4 课题内容、背景与意义 | 第7-8页 |
| 第二章 半导体失效分析技术 | 第8-25页 |
| 2.1 光学显微镜(Optical Microscopy, OM) | 第8-12页 |
| 2.1.1 光学显微镜的成像（几何成像）原理 | 第8-9页 |
| 2.1.2 光学显微镜的分类 | 第9-10页 |
| 2.1.3 光学显微镜的维护 | 第10页 |
| 2.1.4 光学显微镜在失效分析中的应用 | 第10-12页 |
| 2.2 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy, SEM) | 第12-14页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜工作原理 | 第12-13页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜探测器 | 第13-14页 |
| 2.3 聚焦式离子束显微镜 | 第14-18页 |
| 2.3.1 聚焦式离子束显微镜的工作原理 | 第14-16页 |
| 2.3.2 聚焦式离子束显微镜的探测器 | 第16-18页 |
| 2.4 透射电子显微镜 | 第18-21页 |
| 2.4.1 透射电子显微镜的工作原理 | 第18页 |
| 2.4.2 透射电子显微镜的样品制备 | 第18-21页 |
| 2.5 二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometer） | 第21-23页 |
| 2.5.1 二次离子质谱仪的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.5.2 二次离子质谱仪的分离装置 | 第22-23页 |
| 2.6 失效分析中的化学方法 | 第23-25页 |
| 2.6.1 去除passivation(钝化层) | 第23页 |
| 2.6.2 芯片的剥层 | 第23-25页 |
| 第三章 集成电路制造工艺 | 第25-53页 |
| 3.1 蚀刻工艺 | 第25-29页 |
| 3.1.1 蚀刻工艺原理 | 第25-26页 |
| 3.1.2 蚀刻的分类 | 第26-28页 |
| 3.1.3 刻蚀终点检测 | 第28-29页 |
| 3.2 光刻工艺 | 第29-36页 |
| 3.2.1 光刻工艺原理 | 第29-30页 |
| 3.2.2 光刻的光谱 | 第30-31页 |
| 3.2.3 光刻工艺应用 | 第31-33页 |
| 3.2.4 光刻工艺中的失效分析 | 第33-36页 |
| 3.3 离子注入工艺 | 第36-41页 |
| 3.3.1 离子注入工艺原理 | 第36-38页 |
| 3.3.2 离子注入工艺实效分析应用 | 第38-41页 |
| 3.4 化学机械平坦化 | 第41-43页 |
| 3.4.1 化学机械平坦化原理 | 第42-43页 |
| 3.4.2 化学机械平坦化特点 | 第43页 |
| 3.5 沉积工艺 | 第43-53页 |
| 3.5.1 沉积工艺原理 | 第43-45页 |
| 3.5.2 化学气相沉积 | 第45-46页 |
| 3.5.3 物理气相沉积 | 第46-48页 |
| 3.5.4 失效分析在沉积工艺的应用 | 第48-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
