| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| ·SAWD 的特点及其工作原理 | 第10-11页 |
| ·SAWD 的特点 | 第10-11页 |
| ·SAWD 的工作原理 | 第11页 |
| ·适用于高频 SAWD 的多层膜基片的研究进展 | 第11-12页 |
| ·本课题中的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 薄膜制备方法及测试方法 | 第14-25页 |
| ·薄膜的制备设备 | 第14-18页 |
| ·CVD 设备 | 第14-16页 |
| ·薄膜制备方法 | 第16页 |
| ·薄膜淀积过程 | 第16-18页 |
| ·AlN 薄膜的制备工艺 | 第18-20页 |
| ·衬底清洗 | 第18页 |
| ·靶材预处理 | 第18页 |
| ·实验参数的选择 | 第18-20页 |
| ·氮氩比 | 第18-19页 |
| ·溅射气压 | 第19页 |
| ·衬底温度 | 第19页 |
| ·靶-基距 | 第19页 |
| ·溅射功率 | 第19-20页 |
| ·ZnO 薄膜的制备工艺 | 第20-22页 |
| ·ZnO 薄膜性质 | 第20页 |
| ·ZnO 制备方法 | 第20-22页 |
| ·薄膜的表征手段 | 第22-24页 |
| ·X 射线衍射 | 第22页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第22-23页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 (100)AlN 薄膜的制备 | 第25-39页 |
| ·氮化铝薄膜生长取向的影响因素 | 第25-30页 |
| ·溅射功率对氮化铝薄膜生长取向的影响 | 第25-26页 |
| ·氮氩比对氮化铝薄膜生长取向的影响 | 第26-28页 |
| ·工作气压对氮化铝薄膜生长取向的影响 | 第28-29页 |
| ·影响氮化铝薄膜生长取向的其他因素 | 第29-30页 |
| ·氮化铝薄膜富 Al 的影响因素 | 第30-34页 |
| ·溅射功率对氮化铝薄膜富 Al 的影响 | 第30-32页 |
| ·溅射气压对氮化铝薄膜富 Al 的影响 | 第32-33页 |
| ·氮氩比对氮化铝薄膜富 Al 的影响 | 第33页 |
| ·靶基距对氮化铝薄膜富 Al 的影响 | 第33-34页 |
| ·以氮结尾对改善 AlN 薄膜富 Al 的影响 | 第34页 |
| ·(100)AlN 薄膜的制备 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 ZnO/(100)AlN/Diamond 多层膜的制备 | 第39-44页 |
| ·Si 上 ZnO 薄膜的制备 | 第39-41页 |
| ·ZnO/(100)AlN/Diamond 薄膜的制备 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第五章 结论与展望 | 第44-46页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| ·展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |