| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·存储技术的发展历程 | 第9-10页 |
| ·阻变存储器的材料体系及存储机理 | 第10-13页 |
| ·阻变存储器的材料体系 | 第10-11页 |
| ·阻变存储的存储机理 | 第11-13页 |
| ·基于 NiO 薄膜的 RRAM 研究现状及存在问题 | 第13-16页 |
| ·NiO 的晶格结构 | 第13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-15页 |
| ·国内外研究仍然存在的问题 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 基于 NiO 材料 MIM 阻变单元的制备与表征 | 第17-26页 |
| ·本文的技术路线及方案 | 第17页 |
| ·阻变单元的制备 | 第17-23页 |
| ·NiO 薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·MIM 阻变单元的制备 | 第18-23页 |
| ·测试结果的表征手段 | 第23-26页 |
| ·台阶仪 | 第23页 |
| ·原子力显微镜 | 第23-24页 |
| ·半导体参数分析仪 | 第24-25页 |
| ·XRD 分析 | 第25-26页 |
| 第三章 掺杂对 NiO 阻变单元性能提升方法和机理研究 | 第26-44页 |
| ·掺杂金属对 NiO 薄膜阻变性能的影响 | 第27-28页 |
| ·快速热退火制备叠层单元的测试与分析 | 第28-34页 |
| ·直接堆叠 TiO_2/NiO 制备叠层单元的测试与分析 | 第34-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 快速热退火制备阻变单元的测试与分析 | 第44-56页 |
| ·限流对 Pt/NiO/Pt 单元阻变特性的影响 | 第44-48页 |
| ·快速热退火制备 NiO 阻变单元 | 第48-53页 |
| ·快速热退火制备的 NiO 阻变单元阻变机理分析 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
