SiC DSRD器件优化设计与关键工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 脉冲功率技术 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体功率开关 | 第10-13页 |
| 1.3 DSRD器件 | 第13-15页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第15-16页 |
| 2 4H-SiC DSRD原理与模型建立 | 第16-26页 |
| 2.1 4H-SiC DSRD结构与工作原理 | 第16-18页 |
| 2.2 4H-SiC DSRD解析模型 | 第18-20页 |
| 2.3 4H-SiC DSRD数值模型 | 第20-24页 |
| 2.4 基于4H-SiC DSRD的脉冲发生电路 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 4H-SiC DSRD结构设计与优化 | 第26-42页 |
| 3.1 4H-SiC DSRD体结构优化设计 | 第26-29页 |
| 3.2 4H-SiC DSRD终端结构优化设计 | 第29-39页 |
| 3.3 4H-SiC DSRD电热耦合重频仿真 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 4H-SiC DSRD关键工艺与特性分析 | 第42-59页 |
| 4.1 4H-SiC DSRD终端关键工艺 | 第42-49页 |
| 4.2 4H-SiC DSRD欧姆电极工艺 | 第49-50页 |
| 4.3 4H-SiC DSRD静态测试 | 第50-52页 |
| 4.4 4H-SiC DSRD脉冲产生特性分析 | 第52-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 5 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第67页 |
