| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 浅沟槽隔离介质的制备 | 第7-15页 |
| ·浅沟槽隔离介质的制备方法--化学气相淀积(CVD) | 第7-10页 |
| ·Grove模型 | 第7-9页 |
| ·淀积速率的两种情况讨论 | 第9-10页 |
| ·浅沟槽隔离介质制备的原材料--TEOS和O_3 | 第10-15页 |
| ·TEOS的性质 | 第10-12页 |
| ·O_3的特性 | 第12-13页 |
| ·TEOS反应机制 | 第13-15页 |
| 第二章 浅沟槽隔离的理论基础 | 第15-22页 |
| ·浅沟槽隔离在MOS制作的应用 | 第15-16页 |
| ·沟槽填充原理 | 第16-20页 |
| ·阶梯覆盖性(step coverage) | 第16页 |
| ·到达角和表面迁移率 | 第16-19页 |
| ·沟槽剖面特性 | 第19-20页 |
| ·浅沟槽隔离的工艺顺序 | 第20-22页 |
| 第三章 实验设备及其工作原理 | 第22-38页 |
| ·压力控制系统 | 第22-27页 |
| ·压力控制系统的组成部分 | 第23-24页 |
| ·压力控制系统的控制原理 | 第24页 |
| ·几种工作部件的工作原理 | 第24-27页 |
| ·压力控制系统演示 | 第27页 |
| ·温度控制系统 | 第27-30页 |
| ·温度控制系统的组成部分 | 第28-29页 |
| ·晶圆温度的测量 | 第29-30页 |
| ·气体分布控制系统 | 第30-38页 |
| ·气体输运系统 | 第30-34页 |
| ·液体输运及气化系统 | 第34-37页 |
| ·气体分布分配系统 | 第37-38页 |
| 第四章 淀积薄膜性能测量原理和方法 | 第38-52页 |
| ·薄膜厚度(film thickness)和薄膜均匀性(uniformity) | 第38-42页 |
| ·淀积速率、湿法刻蚀率比率和收缩性(DR,WERR and shrinkage) | 第42-43页 |
| ·薄膜应力(stress) | 第43-46页 |
| ·微粒(Particle) | 第46-47页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM,Scanning Electron Microscope) | 第47-52页 |
| 第五章 实验结果及讨论 | 第52-71页 |
| ·介质制备反应条件研究 | 第52-59页 |
| ·浅沟槽隔离沟槽填充研究 | 第59-68页 |
| ·沟槽填充淀积形貌的研究 | 第59-64页 |
| ·沟槽填充淀积条件的研究 | 第64-66页 |
| ·沟槽隔离填充实验 | 第66-68页 |
| ·讨论及技术改进 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
