摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
引言 | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第7-10页 |
第一节 集成电路发展与技术节点 | 第7-8页 |
第二节 半节点微缩工艺及其意义 | 第8-10页 |
第二章 微缩的理论依据及实验设计 | 第10-17页 |
第一节 微缩方式的制定 | 第10-12页 |
第二节 静态存储器模拟及器件模拟 | 第12-13页 |
第三节 微缩版图生成流程 | 第13-16页 |
第四节 本章小结 | 第16-17页 |
第三章 器件结构的工艺实现及数据 | 第17-28页 |
第一节 光刻制程裕度验证 | 第17-21页 |
第二节 离子注入调整 | 第21-24页 |
第三节 制程调整及优化 | 第24-27页 |
第四节 本章小结 | 第27-28页 |
第四章 产品可靠性及工艺验证与良率提升 | 第28-39页 |
第一节 器件可靠性测试方法及结果 | 第28-31页 |
第二节 器件饱和电流与阈值电压的裕度 | 第31-33页 |
第三节 良率提升 | 第33-38页 |
第四节 本章小结 | 第38-39页 |
第五章 总结 | 第39-41页 |
参考文献 | 第41-44页 |
致谢 | 第44-45页 |