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基于0.18μm CMOS逻辑器件的85%微缩工艺的实现

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
引言第6-7页
第一章 绪论第7-10页
 第一节 集成电路发展与技术节点第7-8页
 第二节 半节点微缩工艺及其意义第8-10页
第二章 微缩的理论依据及实验设计第10-17页
 第一节 微缩方式的制定第10-12页
 第二节 静态存储器模拟及器件模拟第12-13页
 第三节 微缩版图生成流程第13-16页
 第四节 本章小结第16-17页
第三章 器件结构的工艺实现及数据第17-28页
 第一节 光刻制程裕度验证第17-21页
 第二节 离子注入调整第21-24页
 第三节 制程调整及优化第24-27页
 第四节 本章小结第27-28页
第四章 产品可靠性及工艺验证与良率提升第28-39页
 第一节 器件可靠性测试方法及结果第28-31页
 第二节 器件饱和电流与阈值电压的裕度第31-33页
 第三节 良率提升第33-38页
 第四节 本章小结第38-39页
第五章 总结第39-41页
参考文献第41-44页
致谢第44-45页

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