| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 紫外探测技术及其抗辐照研究国内外研究历史与现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 紫外读出电路设计 | 第14-40页 |
| 2.1 阻型Ga_2O_3紫外探测器的特性及等效模型 | 第14-16页 |
| 2.2 紫外读出电路模块设计 | 第16-34页 |
| 2.2.1 CTIA读出电路中积分放大器的设计 | 第16-20页 |
| 2.2.2 CTIA读出电路中积分电路的设计 | 第20-24页 |
| 2.2.3 采样保持电路设计 | 第24-27页 |
| 2.2.4 输出缓冲器设计 | 第27-29页 |
| 2.2.5 数字控制电路设计 | 第29-34页 |
| 2.3 紫外读出电路版图 | 第34-39页 |
| 2.3.1 积分运算放大器的版图 | 第34-35页 |
| 2.3.2 CTIA读出电路的版图 | 第35-36页 |
| 2.3.3 数字控制电路版图 | 第36-37页 |
| 2.3.4 紫外读出电路阵列整体版图和后仿真 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 MOS管辐照实验与模型参数提取 | 第40-58页 |
| 3.1 总剂量辐照原理概述 | 第40-42页 |
| 3.2 MOS管辐照实验 | 第42-53页 |
| 3.2.1 MOS管辐照实验方案 | 第42-43页 |
| 3.2.2 MOS管辐照实验结果与分析 | 第43-53页 |
| 3.2.2.1 NMOS转移曲线结果分析 | 第43-48页 |
| 3.2.2.2 NMOS输出曲线结果分析 | 第48-50页 |
| 3.2.2.3 偏压对辐照效应的影响 | 第50-53页 |
| 3.3 NMOS管模型参数提取 | 第53-57页 |
| 3.3.1 MOS管模型简介 | 第54页 |
| 3.3.2 模型参数提取 | 第54页 |
| 3.3.3 NMOS管模型仿真与测试结果比较 | 第54-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 紫外读出电路抗辐照研究 | 第58-67页 |
| 4.1 读出电路中放大器抗辐照研究 | 第58-61页 |
| 4.1.1 读出电路中运算放大器辐照仿真 | 第58-60页 |
| 4.1.2 读出电路中积分运算放大器的改进 | 第60-61页 |
| 4.2 CTIA读出电路抗辐照研究 | 第61-62页 |
| 4.3 紫外读出电路数字电路抗辐照研究 | 第62-64页 |
| 4.4 紫外探测阵列抗辐照研究 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 全文总结 | 第67页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |