| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 抛光加工的国内外发展现状 | 第13-15页 |
| 1.3 抛光数值解析方法国内外发展现状 | 第15-20页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 单晶铜抛光分子动力学建模 | 第22-30页 |
| 2.1 抛光加工的理论模型与材料去除机制 | 第22-23页 |
| 2.2 分子动力学基本原理 | 第23-26页 |
| 2.2.1 仿真模型边界条件的确定 | 第23-24页 |
| 2.2.2 势函数的选取 | 第24-25页 |
| 2.2.3 趋于平衡过程的计算 | 第25页 |
| 2.2.4 系统的基本运动方程及求解 | 第25-26页 |
| 2.3 晶体结构与位错运动机制 | 第26-29页 |
| 2.3.1 铜晶体结构 | 第26-27页 |
| 2.3.2 面心立方晶体的滑移系 | 第27-28页 |
| 2.3.3 晶体缺陷分类 | 第28页 |
| 2.3.4 位错的滑移 | 第28-29页 |
| 2.5 仿真软件及后处理软件 | 第29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 旋转磨粒对单晶铜抛光加工影响的仿真分析 | 第30-66页 |
| 3.1 单晶铜抛光加工分子动力学仿真 | 第30-43页 |
| 3.1.1 抛光仿真模型 | 第30-32页 |
| 3.1.2 模拟结果分析 | 第32-38页 |
| 3.1.3 旋转角对抛光加工工件的影响 | 第38-43页 |
| 3.2 转速和旋转角度对单晶铜抛光加工影响的仿真分析 | 第43-55页 |
| 3.2.1 不同磨粒转速对单晶铜工件的影响 | 第44-50页 |
| 3.2.2 不同磨粒旋转角对单晶铜工件的影响 | 第50-55页 |
| 3.3 单晶铜抛光加工中表面形貌与质量的影响因素分析 | 第55-64页 |
| 3.3.1 抛光深度对加工形貌与质量的影响 | 第55-58页 |
| 3.3.2 抛光转速对加工形貌与质量的影响 | 第58-60页 |
| 3.3.3 磨粒参数对加工形貌与质量的影响 | 第60-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第4章 工艺参数对单晶铜抛光加工影响的仿真分析 | 第66-78页 |
| 4.1 晶体各向异性对抛光过程的影响 | 第66-72页 |
| 4.1.1 不同加工方向的抛光过程 | 第66-69页 |
| 4.4.2 不同晶面的抛光过程 | 第69-72页 |
| 4.2 温度效应对抛光过程的影响 | 第72-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第5章 结论与展望 | 第78-82页 |
| 5.1 全文总结 | 第78-79页 |
| 5.2 展望 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 作者简介及攻读硕士学位期间的主要科研成果 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90页 |