硅基发光器件及其构成的光互连系统研究
摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-19页 |
·全硅光电子集成回路 | 第8-18页 |
·硅基光发射器件 | 第9-15页 |
·硅基光电探测器 | 第15-17页 |
·光电可逆性原理 | 第17-18页 |
·本论文结构和工作 | 第18-19页 |
第二章 Si-LED 分类与发光机理 | 第19-34页 |
·Si-LED 的分类与发光机理 | 第19-31页 |
·发光过程的激发 | 第19-21页 |
·载流子复合理论 | 第21-23页 |
·Si-LED 的分类与发光机理 | 第23-30页 |
·其他相关理论 | 第30-31页 |
·发光特性小结 | 第31-34页 |
第三章 Si-LED 的设计 | 第34-49页 |
·Si-LED 的设计 | 第34-48页 |
·普通雪崩击穿二极管 | 第34-37页 |
·肖特基势垒二极管 | 第37-40页 |
·MOS 隧道二极管 | 第40-45页 |
·多晶硅 PIN 二极管 | 第45-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第四章 Si-LED 的测试 | 第49-66页 |
·测试系统 | 第49页 |
·三端楔形 Si-LED | 第49-53页 |
·三端楔形 Si-LED 电学特性测试 | 第50-51页 |
·三端楔形 Si-LED 光学特性测试 | 第51-53页 |
·八边形插指 Si-LED | 第53-55页 |
·八边形插指 Si-LED 电学特性测试 | 第53-54页 |
·八边形插指 Si-LED 光学特性测试 | 第54-55页 |
·肖特基势垒 Si-LED | 第55-58页 |
·肖特基势垒 Si-LED 电学特性测试 | 第56页 |
·肖特基势垒 Si-LED 光学特性测试 | 第56-58页 |
·MOS 隧道 Si-LED | 第58-60页 |
·MOS 隧道 Si-LED 电学特性测试 | 第59页 |
·MOS 隧道 Si-LED 光学特性测试 | 第59-60页 |
·多晶硅 PIN Si-LED | 第60-65页 |
·多晶硅 PIN Si-LED 电学特性测试 | 第62页 |
·多晶硅 PIN Si-LED 光学特性测试 | 第62-65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
第五章 光互连系统设计与展望 | 第66-74页 |
·片上光互连系统 | 第66-72页 |
·与 CMOS 兼容的单片集成 | 第66-68页 |
·标准 CMOS 下的单片集成 | 第68-72页 |
·总结与展望 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-79页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第79-80页 |
致谢 | 第80页 |