摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
主要符号表 | 第18-19页 |
1 绪论 | 第19-36页 |
1.1 研究背景 | 第19-26页 |
1.2 国内外研究现状 | 第26-33页 |
1.3 研究思想及研究内容 | 第33-36页 |
2 窄节距微凸点设计与制作 | 第36-56页 |
2.1 引言 | 第36页 |
2.2 微凸点键合结构设计 | 第36-42页 |
2.3 微凸点金属层厚度设计 | 第42-45页 |
2.4 微凸点工艺实现 | 第45-55页 |
2.4.1 电镀工艺优化 | 第45-49页 |
2.4.2 厚胶光刻优化 | 第49-52页 |
2.4.3 微凸点工艺制作 | 第52-55页 |
2.5 本章小结 | 第55-56页 |
3 凸点表面Ar(5% H_2)等离子体预处理研究 | 第56-76页 |
3.1 引言 | 第56页 |
3.2 等离子体预处理条件的确立 | 第56-59页 |
3.2.1 等离子体产生原理、特点及装置 | 第56-58页 |
3.2.2 预处理条件的确立 | 第58-59页 |
3.3 表面及键合分析方法 | 第59-61页 |
3.4 电镀Cu表面等离子体预处理结果及讨论 | 第61-70页 |
3.4.1 电镀Cu表面氧化层分析 | 第61-63页 |
3.4.2 电镀Cu表面结构分析 | 第63-64页 |
3.4.3 电镀Cu表面组分分析 | 第64-67页 |
3.4.4 电镀Cu表面活性分析 | 第67-70页 |
3.5 电镀Sn表面等离子体预处理结果及讨论 | 第70-73页 |
3.6 低温Cu-Sn键合结果及讨论 | 第73-74页 |
3.7 本章小结 | 第74-76页 |
4 低温Cu-Sn固态扩散键合实现及特性研究 | 第76-96页 |
4.1 引言 | 第76页 |
4.2 低温Cu-Sn键合实验 | 第76-84页 |
4.2.1 低温Cu-Sn键合理论、优点及设备 | 第76-80页 |
4.2.2 低温Cu-Sn键合实验的确立 | 第80-84页 |
4.3 低温Cu-Sn键合性能及讨论 | 第84-90页 |
4.3.1 键合界面分析 | 第84-86页 |
4.3.2 剪切强度分析 | 第86-89页 |
4.3.3 电学测量 | 第89-90页 |
4.4 低温Cu-Sn键合可靠性及讨论 | 第90-95页 |
4.4.1 热循环可靠性分析 | 第90-91页 |
4.4.2 电迁移可靠性分析 | 第91-95页 |
4.5 本章小结 | 第95-96页 |
5 低温Cu-Sn键合改进及实现研究 | 第96-112页 |
5.1 引言 | 第96页 |
5.2 微凸点键合结构改进 | 第96-101页 |
5.3 电镀Cu表面预处理方法改进 | 第101-108页 |
5.3.1 复合预处理方法的提出 | 第101-102页 |
5.3.2 复合预处理条件的确立 | 第102-103页 |
5.3.3 复合预处理结果及讨论 | 第103-108页 |
5.4 低温Cu-Sn键合改进结果 | 第108-111页 |
5.5 本章小结 | 第111-112页 |
6 低温Cu-Sn键合基本理论研究 | 第112-121页 |
6.1 引言 | 第112页 |
6.2 金属间化合物生长过程讨论 | 第112-119页 |
6.2.1 金属间化合物微观组织分析 | 第112-117页 |
6.2.2 金属间化合物动力学分析 | 第117-119页 |
6.3 低温Cu-Sn键合尺寸效应讨论 | 第119-120页 |
6.4 本章小结 | 第120-121页 |
7 结论与展望 | 第121-125页 |
7.1 结论与创新点 | 第121-123页 |
7.2 创新点摘要 | 第123-124页 |
7.3 展望 | 第124-125页 |
参考文献 | 第125-138页 |
攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第138-140页 |
致谢 | 第140-141页 |
作者简介 | 第141页 |