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应用于3D集成的Cu-Sn固态扩散键合技术研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
主要符号表第18-19页
1 绪论第19-36页
    1.1 研究背景第19-26页
    1.2 国内外研究现状第26-33页
    1.3 研究思想及研究内容第33-36页
2 窄节距微凸点设计与制作第36-56页
    2.1 引言第36页
    2.2 微凸点键合结构设计第36-42页
    2.3 微凸点金属层厚度设计第42-45页
    2.4 微凸点工艺实现第45-55页
        2.4.1 电镀工艺优化第45-49页
        2.4.2 厚胶光刻优化第49-52页
        2.4.3 微凸点工艺制作第52-55页
    2.5 本章小结第55-56页
3 凸点表面Ar(5% H_2)等离子体预处理研究第56-76页
    3.1 引言第56页
    3.2 等离子体预处理条件的确立第56-59页
        3.2.1 等离子体产生原理、特点及装置第56-58页
        3.2.2 预处理条件的确立第58-59页
    3.3 表面及键合分析方法第59-61页
    3.4 电镀Cu表面等离子体预处理结果及讨论第61-70页
        3.4.1 电镀Cu表面氧化层分析第61-63页
        3.4.2 电镀Cu表面结构分析第63-64页
        3.4.3 电镀Cu表面组分分析第64-67页
        3.4.4 电镀Cu表面活性分析第67-70页
    3.5 电镀Sn表面等离子体预处理结果及讨论第70-73页
    3.6 低温Cu-Sn键合结果及讨论第73-74页
    3.7 本章小结第74-76页
4 低温Cu-Sn固态扩散键合实现及特性研究第76-96页
    4.1 引言第76页
    4.2 低温Cu-Sn键合实验第76-84页
        4.2.1 低温Cu-Sn键合理论、优点及设备第76-80页
        4.2.2 低温Cu-Sn键合实验的确立第80-84页
    4.3 低温Cu-Sn键合性能及讨论第84-90页
        4.3.1 键合界面分析第84-86页
        4.3.2 剪切强度分析第86-89页
        4.3.3 电学测量第89-90页
    4.4 低温Cu-Sn键合可靠性及讨论第90-95页
        4.4.1 热循环可靠性分析第90-91页
        4.4.2 电迁移可靠性分析第91-95页
    4.5 本章小结第95-96页
5 低温Cu-Sn键合改进及实现研究第96-112页
    5.1 引言第96页
    5.2 微凸点键合结构改进第96-101页
    5.3 电镀Cu表面预处理方法改进第101-108页
        5.3.1 复合预处理方法的提出第101-102页
        5.3.2 复合预处理条件的确立第102-103页
        5.3.3 复合预处理结果及讨论第103-108页
    5.4 低温Cu-Sn键合改进结果第108-111页
    5.5 本章小结第111-112页
6 低温Cu-Sn键合基本理论研究第112-121页
    6.1 引言第112页
    6.2 金属间化合物生长过程讨论第112-119页
        6.2.1 金属间化合物微观组织分析第112-117页
        6.2.2 金属间化合物动力学分析第117-119页
    6.3 低温Cu-Sn键合尺寸效应讨论第119-120页
    6.4 本章小结第120-121页
7 结论与展望第121-125页
    7.1 结论与创新点第121-123页
    7.2 创新点摘要第123-124页
    7.3 展望第124-125页
参考文献第125-138页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第138-140页
致谢第140-141页
作者简介第141页

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