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40纳米3G手机基带芯片的物理实现

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·论文的研究背景和意义第7-8页
   ·3G芯片设计研究现状第8-9页
   ·论文来源及内容安排第9-13页
第二章 集成电路的低功耗设计第13-27页
   ·集成电路设计流程第13-16页
   ·低功耗设计第16-27页
     ·低功耗设计方法第16-22页
     ·多电压设计中的标准单元第22-27页
第三章 芯片的逻辑综合第27-43页
   ·综合原理第27页
   ·综合策略第27-28页
   ·综合设计约束第28-33页
     ·设计规则约束第28-29页
     ·优化约束第29-33页
   ·UPF原理第33-43页
     ·UPF概述第33-34页
     ·UPF的应用第34页
     ·UPF的设计流程第34-35页
     ·UPF在综合中的应用第35-43页
第四章 芯片的MVRC检查第43-49页
   ·MVRC概述第43-45页
   ·MVRC检查第45-49页
第五章 芯片的静态电压降检查第49-63页
   ·功耗和电压降的原理第49-53页
   ·静态电压降的分析第53-56页
   ·供电网络的供电问题及解决方法第56-63页
     ·供电网络中的问题第56-61页
     ·供电网络中供电问题的避免方法第61-63页
第六章 芯片的静态时序分析第63-71页
   ·静态时序分析概述及其重要性第63-64页
   ·静态时序分析设置与约束第64-67页
   ·静态时序分析流程第67-71页
     ·UPF文件的使用第67-68页
     ·DMSA的使用第68-71页
第七章 总结与展望第71-73页
致谢第73-75页
参考文献第75-77页
研究成果第77-79页
附录A第79-84页

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