| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| ·本课题研究意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-12页 |
| ·本课题研究内容 | 第12页 |
| ·论文章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 SiGe HBT基本理论概述 | 第14-18页 |
| ·SiGe HBT结构理论 | 第14-15页 |
| ·SiGe HBT工作特性 | 第15-18页 |
| ·直流特性 | 第15-16页 |
| ·频率性能 | 第16-17页 |
| ·噪声性能 | 第17-18页 |
| 第三章 射频噪声理论研究 | 第18-24页 |
| ·噪声特性 | 第18页 |
| ·噪声因子 | 第18-19页 |
| ·二端口网络噪声理论 | 第19-24页 |
| 第四章 SiGe HBT器件噪声模型研究 | 第24-33页 |
| ·SiGe HBT器件噪声分类 | 第24-26页 |
| ·热噪声 | 第24-25页 |
| ·散粒噪声 | 第25页 |
| ·闪烁噪声 | 第25-26页 |
| ·SiGe HBT噪声模型分析 | 第26-33页 |
| ·传统 SPICE噪声模型 | 第26-27页 |
| ·热动力学噪声模型 | 第27-28页 |
| ·SiGe HBT简化 SPICE噪声模型研究 | 第28-33页 |
| 第五章 SiGe BiCMOS低噪声放大器设计研究 | 第33-58页 |
| ·无源器件研究 | 第33-37页 |
| ·电容 | 第33-34页 |
| ·电感 | 第34-36页 |
| ·电阻 | 第36-37页 |
| ·SiGe BICMOS低噪声放大器设计 | 第37-58页 |
| ·低噪声放大器设计指标要求 | 第37-38页 |
| ·新型BiFET输入级设计 | 第38-39页 |
| ·输入、输出端阻抗匹配设计 | 第39-42页 |
| ·低噪声放大器电路结构和噪声分析 | 第42-45页 |
| ·低噪声放大器线性度分析 | 第45-48页 |
| ·LNA电路仿真结果与分析讨论 | 第48-53页 |
| ·LNA电路版图设计 | 第53-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第63页 |