| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 符号说明 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| §1-1 课题来源 | 第10页 |
| §1-2 研究背景 | 第10-13页 |
| §1-2-1 制备p 型ZnO 的意义和困难 | 第10-11页 |
| §1-2-2 ZnO p 型掺杂的方法 | 第11-12页 |
| §1-2-3 国内外p 型ZnO 的研究进展 | 第12-13页 |
| §1-3 本论文的研究目的 | 第13页 |
| §1-4 论文内容的组织 | 第13-15页 |
| 第二章 USP 生长系统的设计以及 ZnO 薄膜的表征 | 第15-25页 |
| §2-1 ZnO 薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| §2-1-1 溅射 | 第15页 |
| §2-1-2 分子束外延 | 第15页 |
| §2-1-3 金属有机物化学气相淀积 | 第15-16页 |
| §2-1-4 脉冲激光沉积 | 第16页 |
| §2-1-5 超声喷雾热分解 | 第16-17页 |
| §2-2 USP 法制备ZnO 薄膜的沉积机理 | 第17-18页 |
| §2-2-1 制备ZnO 薄膜的反应机理 | 第17页 |
| §2-2-2 制备ZnO 薄膜的成膜过程 | 第17-18页 |
| §2-3 USP 系统的设计 | 第18-22页 |
| §2-3-1 保温室的设计 | 第18-19页 |
| §2-3-2 喷头的改进 | 第19-20页 |
| §2-3-3 雾化器和雾化瓶的设计 | 第20-21页 |
| §2-3-4 加热器 | 第21页 |
| §2-3-5 温控系统 | 第21页 |
| §2-3-6 实验用USP 系统 | 第21-22页 |
| §2-4 USP 系统的较温 | 第22页 |
| §2-5 ZnO 薄膜的表征方法 | 第22-24页 |
| §2-5-1 Hall 测试 | 第22-23页 |
| §2-5-2 XRD 测试 | 第23页 |
| §2-5-3 SIMS 测试 | 第23-24页 |
| §2-5-4 SEM 测试 | 第24页 |
| §2-5-5 AFM 测试 | 第24页 |
| §2-6 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 p 型 ZnO 薄膜的制备与优化 | 第25-41页 |
| §3-1 ZnO 薄膜的制备 | 第25-27页 |
| §3-2 ZnO p 型掺杂的理论分析 | 第27-29页 |
| §3-2-1 衬底温度对制备p 型ZnO 薄膜的影响 | 第28-29页 |
| §3-2-2 Al 掺杂量对制备p 型ZnO 薄膜的影响 | 第29页 |
| §3-3 p 型ZnO 薄膜的制备和优化 | 第29-39页 |
| §3-3-1 衬底温度对制备p 型ZnO 薄膜的影响 | 第30-33页 |
| §3-3-2 掺杂配比对制备p 型ZnO 薄膜的影响 | 第33-37页 |
| §3-3-3 不同温度下所制备ZnO薄膜的透过.率 | 第37页 |
| §3-3-4 厚度对薄膜电学性能的影响 | 第37-38页 |
| §3-3-5 溶液浓度对薄膜电学特性的影响 | 第38-39页 |
| §3-4 迁移率的改善 | 第39-40页 |
| §3-5 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 p 型 ZnO 薄膜生长机理及其特性的研究 | 第41-51页 |
| §4-1 衬底的电学性能对薄膜Hall 测试结果的影响 | 第41-42页 |
| §4-2 普通玻璃和corning7059 玻璃衬底上ZnO 薄膜的差别 | 第42-45页 |
| §4-3 薄膜成分分析 | 第45-47页 |
| §4-4 发光特性 | 第47-48页 |
| §4-5 透过率 | 第48-49页 |
| §4-6 稳定性实验 | 第49-50页 |
| §4-7 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-53页 |
| §5-1 本论文的主要结论 | 第51-52页 |
| §5-2 有待进一步进一步开展的工作 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第57页 |
