| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-15页 |
| §1-1 GaN 材料应用 | 第8-10页 |
| 1-1-1 光子器件 | 第9页 |
| 1-1-2 电子器件 | 第9-10页 |
| §1-2 AlGaN/GaN 基 HEMT 特性 | 第10-14页 |
| §1-3 论文的选题依据及主要研究工作 | 第14-15页 |
| 第二章 HEMT原理及 AlGaN/GaN 2DEG产生机理 | 第15-23页 |
| §2-1 二维电子气的产生 | 第15-16页 |
| §2-2 极化 | 第16-20页 |
| 2-2-1 自发极化 | 第16-17页 |
| 2-2-2 压电极化 | 第17-18页 |
| 2-2-3 极化对二维电子气的影响 | 第18-20页 |
| §2-3 表面态对 2DEG 的影响 | 第20页 |
| §2-4 调制掺杂对 2DEG 的影响 | 第20-21页 |
| §2-5 其他影响 | 第21-22页 |
| 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 实验及测试原理 | 第23-35页 |
| §3-1 金属有机汽相外延沉淀外延技术 | 第23-26页 |
| 3-1-1 MOCVD 简介 | 第23页 |
| 3-1-2 生长机理 | 第23-25页 |
| 3-1-3 MOCVD 设备介绍 | 第25-26页 |
| §3-2 测试原理 | 第26-34页 |
| 3-2-1 汞探针 C-V | 第26-29页 |
| 3-2-2 霍尔测量 | 第29-31页 |
| 3-2-3 x 射线双晶衍射原理 | 第31-33页 |
| 3-2-4 原子力显微镜 | 第33-34页 |
| 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 外延实验 | 第35-40页 |
| §4-1 外延实验流程 | 第35-36页 |
| §4-2 外延实验中的问题 | 第36-39页 |
| 4-2-1 衬底选择 | 第36-37页 |
| 4-2-2 外延缓冲层 | 第37-38页 |
| 4-2-3 生长速率 | 第38页 |
| 4-2-4 生长温度和Ⅴ/ Ⅲ比 | 第38-39页 |
| 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 不同Ⅴ/ Ⅲ比对 HEMT材料电学特性的影响 | 第40-47页 |
| §5-1 实验 | 第40页 |
| §5-2 结果与讨论 | 第40-46页 |
| 5-2-1 样品结晶质量及形貌 | 第40-42页 |
| 5-2-2 CV 及Hall 测试结果 | 第42-46页 |
| 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 不同掺杂浓度对 HEMT 材料特性的影响 | 第47-54页 |
| ·实验 | 第47页 |
| 6-2 结果与讨论 | 第47-53页 |
| 6-2-1 常温Hall 测试结果 | 第48-50页 |
| 6-2-2 CV 测试结果 | 第50-51页 |
| 6-2-3 阈值电压 | 第51-52页 |
| 6-2-4 XRD 测试结果 | 第52页 |
| 6-2-5 对高频特性的影响 | 第52-53页 |
| 本章小结 | 第53-54页 |
| 第七章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录 | 第59-61页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第61页 |