| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·日常生活中的ESD现象 | 第7页 |
| ·ESD效应对CMOS集成电路的影响及防护措施 | 第7-11页 |
| 第二章 静电放电模式 | 第11-17页 |
| ·人体放电模式(HUMAN-BODY MODEL，HBM) | 第11-13页 |
| ·机器放电模式(MACHINE MODEL，MM) | 第13-14页 |
| ·元件充电模式(CHARGED-DEVICE MODEL，CDM) | 第14-15页 |
| ·电场感应模式(FIELD-INDUCED MODEL，FIM) | 第15页 |
| ·小结 | 第15-17页 |
| 第三章 静电放电测试方法 | 第17-25页 |
| ·静电放电测试组合 | 第17-20页 |
| ·静电放电测试方式 | 第20-21页 |
| ·静电放电故障判断 | 第21-22页 |
| ·静电放电测试结果判读 | 第22-25页 |
| 第四章 静电放电保护电路设计 | 第25-47页 |
| ·静电放电中常用的器件 | 第25-35页 |
| ·电阻 | 第25-26页 |
| ·传统二极管 | 第26-27页 |
| ·MOS晶体管 | 第27-30页 |
| ·可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier) | 第30-35页 |
| ·静电放电保护结构设计 | 第35-40页 |
| ·输入保护 | 第35-37页 |
| ·输出保护 | 第37-38页 |
| ·电源、地的保护 | 第38-39页 |
| ·全芯片保护 | 第39-40页 |
| ·版图设计 | 第40-43页 |
| ·工艺相关性及设计 | 第43-47页 |
| 第五章 设计流片及测试分析 | 第47-55页 |
| ·方案一 | 第47-49页 |
| ·方案二 | 第49-50页 |
| ·方案三 | 第50-52页 |
| ·方案四 | 第52-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 附录 | 第63-66页 |
