摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-21页 |
1.1 微电子封装技术概述 | 第9-12页 |
1.1.1 电子封装简介 | 第9-11页 |
1.1.2 倒装芯片技术及其优点 | 第11-12页 |
1.2 倒装芯片技术中高铅钎料的界面反应研究进展 | 第12-17页 |
1.2.1 高铅钎料与Cu UBM的界面反应 | 第13-15页 |
1.2.2 高铅钎料与Ni UBM的界面反应 | 第15-17页 |
1.3 倒装芯片微凸点热循环应力应变有限元仿真 | 第17-19页 |
1.3.1 有限元方法简介 | 第17页 |
1.3.2 有限元仿真在倒装芯片中的应用 | 第17-19页 |
1.4 本论文的研究目的和主要研究内容 | 第19-21页 |
1.4.1 研究目的 | 第19-20页 |
1.4.2 研究内容 | 第20-21页 |
2 实验及仿真分析方法 | 第21-28页 |
2.1 实验方法 | 第21-24页 |
2.1.1 FC-CCGA1144倒装芯片介绍 | 第21-22页 |
2.1.2 样品制备 | 第22-23页 |
2.1.3 样品表征 | 第23-24页 |
2.2 有限元仿真分析方法 | 第24-27页 |
2.2.1 钎料本构模型 | 第24-25页 |
2.2.2 仿真分析软件 | 第25-26页 |
2.2.3 仿真分析步骤 | 第26-27页 |
2.3 技术路线 | 第27-28页 |
3 倒装芯片微凸点成分及回流工艺优化 | 第28-45页 |
3.1 倒装芯片微凸点成分优化 | 第28-37页 |
3.1.1 95Pb-5Sn、90Pb-10Sn和85Pb-15Sn凸点界面微观组织 | 第28-29页 |
3.1.2 95Pb-5Sn、90Pb-10Sn和85Pb-15Sn凸点界面晶粒形貌 | 第29-31页 |
3.1.3 95Pb-5Sn、90Pb-10Sn和85Pb-15Sn凸点Sn含量变化 | 第31-33页 |
3.1.4 95Pb-5Sn、90Pb-10Sn和85Pb-15Sn凸点界面剪切断裂模式 | 第33-34页 |
3.1.5 95Pb-5Sn、90Pb-10Sn和85Pb-15Sn凸点界面剪切强度 | 第34-36页 |
3.1.6 本章小结 | 第36-37页 |
3.2 倒装芯片微凸点回流工艺优化 | 第37-45页 |
3.2.1 90Pb-10Sn不同回流时间的界面微观组织 | 第37-39页 |
3.2.2 90Pb-10Sn不同回流时间的界面晶粒形貌 | 第39-41页 |
3.2.3 90Pb-10Sn不同回流时间的界面剪切强度及断面形貌 | 第41-44页 |
3.2.4 本章小结 | 第44-45页 |
4 倒装芯片微凸点热循环应力应变有限元仿真 | 第45-66页 |
4.1 模型及材料参数 | 第45-46页 |
4.2 模型前处理 | 第46-48页 |
4.2.1 网格划分 | 第46-47页 |
4.2.2 边界约束条件 | 第47-48页 |
4.2.3 热循环温度曲线 | 第48页 |
4.3 1/4模型计算结果 | 第48-50页 |
4.4 子模型计算方法 | 第50-53页 |
4.5 子模型计算结果 | 第53-66页 |
4.5.1 底填充胶的影响 | 第53-56页 |
4.5.2 凸点大小的影响 | 第56-60页 |
4.5.3 凸点形态的影响 | 第60-62页 |
4.5.4 升温速率的影响 | 第62-66页 |
结论 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-71页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |