考虑温度效应的硅通孔传输特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 TSV三维集成的优点 | 第17-19页 |
| 1.3 TSV技术新进展 | 第19-21页 |
| 1.4 论文研究内容及结构安排 | 第21-24页 |
| 第二章 TSV工艺 | 第24-32页 |
| 2.1 TSV工艺流程及分类 | 第24-27页 |
| 2.2 TSV关键工艺技术 | 第27-31页 |
| 2.2.1 TSV深孔刻蚀 | 第27-28页 |
| 2.2.2 绝缘层/扩散阻挡层/种子层淀积 | 第28-29页 |
| 2.2.3 深孔填充 | 第29页 |
| 2.2.4 芯片减薄 | 第29-30页 |
| 2.2.5 键合技术 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 考虑温度效应的TSV寄生参数模型 | 第32-50页 |
| 3.1 TSV寄生电阻模型 | 第32-35页 |
| 3.2 TSV寄生电容模型 | 第35-41页 |
| 3.2.1 TSV介质层电容和耗尽区电容 | 第35-40页 |
| 3.2.2 TSV衬底电容和金属间介质电容 | 第40-41页 |
| 3.3 TSV寄生电感模型 | 第41-45页 |
| 3.4 TSV寄生电导模型 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-50页 |
| 第四章 GS型TSV结构传输特性研究 | 第50-62页 |
| 4.1 TSV等效电路分析 | 第50-55页 |
| 4.2 TSV结构参数对传输特性的影响 | 第55-61页 |
| 4.2.1 TSV半径对传输特性影响 | 第55-56页 |
| 4.2.2 介质层厚度对传输特性影响 | 第56-58页 |
| 4.2.3 TSV间距对传输特性影响 | 第58-59页 |
| 4.2.4 TSV高度对传输特性影响 | 第59-60页 |
| 4.2.5 衬底浓度对传输特性影响 | 第60-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 GSG型TSV结构传输特性研究 | 第62-72页 |
| 5.1 GSG型TSV等效电路及仿真 | 第62-67页 |
| 5.2 空气隙TSV传输特性仿真分析 | 第67-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 工作总结 | 第72-73页 |
| 6.2 工作展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
