| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 前言 | 第15-25页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 集成电路光刻制造工艺简介 | 第16-21页 |
| 1.3 沟道型金属-氧化层-半导体-场效晶体管简介 | 第21-22页 |
| 1.3.1 沟道型金属-氧化层-半导体-场效晶体管的研究与进展 | 第21-22页 |
| 1.3.2 沟道型金属-氧化层-半导体-场效晶体管的结构与模型 | 第22页 |
| 1.4 本论文研究背景与意义 | 第22-23页 |
| 1.5 本论文的研究方向和内容 | 第23页 |
| 1.6 本论文的章节安排 | 第23-25页 |
| 第二章 某沟道型金属氧化物半导体产品失效的原理分析 | 第25-45页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 沟道型金属氧化物半导体工艺简介 | 第25-31页 |
| 2.3 某沟道型金属氧化物半导体产品的失效模式及特殊结构 | 第31-37页 |
| 2.3.1 半导体器件失效分析简介 | 第31-32页 |
| 2.3.2 某沟道型金属氧化物半导体产品失效模式 | 第32-34页 |
| 2.3.3 栅漏电流测量（Igss）的介绍 | 第34页 |
| 2.3.4 科里奥利力的介绍[41-43] | 第34-37页 |
| 2.4 光刻区可能影响该产品 B 低良率的因素 | 第37-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 光刻 BARC 涂布工艺对某沟道型金属氧化物半导体产品工艺特性的影响分析 | 第45-56页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 光刻涂布工艺概述 | 第45-51页 |
| 3.2.1 光刻生产区涂布机台 Clean Track 概述 | 第45-47页 |
| 3.2.2 涂布腔的器件构成 | 第47-48页 |
| 3.2.3 涂布腔的工作原理说明 | 第48-51页 |
| 3.3 涂布工艺特征参数对对光刻胶成膜的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 底部抗反射层对光刻涂布工艺的介入 | 第52-53页 |
| 3.5 底部抗反射层涂布腔湿度的变化影响及加剧失效 | 第53-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 光刻 BARC 涂布工艺去除对某沟道型金属氧化物半导体产品最终良率的影响分析 | 第56-65页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 流程中去除沟道-底部抗反射层涂布后产品的缺陷情况 | 第56-57页 |
| 4.3 流程中去除沟道-底部抗反射层涂布后的测试结果 | 第57-60页 |
| 4.4 产品成品率提升 | 第60-62页 |
| 4.5 节能降本及产量提升 | 第62-63页 |
| 4.6 实际应用中的指导意义 | 第63-64页 |
| 4.7 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 本文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 下一步研究计划和研究展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第71页 |
