针对PID的电池片防反射膜工艺改进研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 晶硅太阳能电池现状和发展 | 第12-17页 |
| 1.1 晶硅电池发展历史 | 第12页 |
| 1.2 晶硅电池工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3 太阳能电池性能表征 | 第13-14页 |
| 1.4 影响效率的因素分析 | 第14-16页 |
| 1.4.1 材料带隙宽度 | 第14页 |
| 1.4.2 少数载流子寿命 | 第14-15页 |
| 1.4.3 表面复合的影响 | 第15页 |
| 1.4.4 寄生电阻效应 | 第15页 |
| 1.4.5 温度对 I-V 特性的影响 | 第15-16页 |
| 1.5 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 太阳能电池中电势差引起的衰减问题 | 第17-22页 |
| 2.1 PID 简介 | 第17-18页 |
| 2.2 PID 的现状及其国内外研究进展 | 第18-21页 |
| 2.2.1 PID 测试 | 第18-20页 |
| 2.2.2 影响 PID 的因素 | 第20-21页 |
| 2.3 利用防反膜对 PID 的解决方案 | 第21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 防反膜对效率的作用及其制备技术介绍 | 第22-27页 |
| 3.1 SiNx 薄膜作用 | 第22-24页 |
| 3.1.1 减反射膜 | 第22-23页 |
| 3.1.2 表面钝化作用 | 第23页 |
| 3.1.3 体钝化作用 | 第23-24页 |
| 3.2 PECVD 工艺 | 第24-26页 |
| 3.2.1 PECVD 定义 | 第24页 |
| 3.2.2 等离子体定义 | 第24页 |
| 3.2.3 PECVD 优点 | 第24-25页 |
| 3.2.4 PECVD 工艺分类 | 第25页 |
| 3.2.5 PECVD 工艺流程 | 第25页 |
| 3.2.6 PECVD 气体反应方程式 | 第25-26页 |
| 3.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 防反膜的工艺改进方法 | 第27-39页 |
| 4.1 PECVD 工艺改进 | 第27-30页 |
| 4.2 更高的折射率 | 第30-31页 |
| 4.3 更好的钝化 | 第31-37页 |
| 4.3.1 实验一方案及结果 | 第32-33页 |
| 4.3.2 实验二方案及结果 | 第33-34页 |
| 4.3.3 实验三方案及结果 | 第34-37页 |
| 4.4 更少的缺陷 | 第37页 |
| 4.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第五章 防反膜工艺改进后对 PID 的影响 | 第39-47页 |
| 5.1 样品制作 | 第39-40页 |
| 5.1.1 目的 | 第39页 |
| 5.1.2 技术要求 | 第39-40页 |
| 5.1.3 操作步骤 | 第40页 |
| 5.1.4 PID 测试标准 | 第40页 |
| 5.2 PID 验证 | 第40-42页 |
| 5.2.1 电池片级别 | 第40-41页 |
| 5.2.2 组件级别 | 第41-42页 |
| 5.3 镀膜工艺改进 1 | 第42-43页 |
| 5.3.1 实验参数及结果概述 | 第42-43页 |
| 5.3.2 PID 表现 | 第43页 |
| 5.3.3 EL 图像 | 第43页 |
| 5.4 镀膜工艺改进 2 | 第43-44页 |
| 5.4.1 实验参数及结果概述 | 第44页 |
| 5.4.2 实验结论 | 第44页 |
| 5.5 镀膜工艺改进 3 | 第44页 |
| 5.5.1 实验参数及结果概述 | 第44页 |
| 5.5.2 实验结论 | 第44页 |
| 5.6 镀膜工艺改进 4 | 第44-46页 |
| 5.6.1 实验参数及结果概述 | 第45页 |
| 5.6.2 PID 表现 | 第45页 |
| 5.6.3 EL 图像 | 第45-46页 |
| 5.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 结束语 | 第47-48页 |
| 6.1 主要工作与创新点 | 第47页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第52页 |
