高能离子注入工艺入射角与高压器件阱工艺均一性关系的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 离子注入与深阱工艺 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.1.2 半导体离子注入的发展历程 | 第8-9页 |
| 1.2 CMOS典型结构和常规工艺流程 | 第9-13页 |
| 1.3 高压器件的深阱工艺 | 第13-16页 |
| 1.4 本论文的研究基础 | 第16-18页 |
| 第二章 离子注入设备与工艺简介 | 第18-41页 |
| 2.1 离子注入设备简介 | 第18-26页 |
| 2.1.1 离子注入机的基本结构 | 第18-25页 |
| 2.1.2 GSD HE系列注入机的终端注入模式 | 第25-26页 |
| 2.2 离子注入工艺理论 | 第26-38页 |
| 2.2.1 射程分布理论和离子阻止理论 | 第26-29页 |
| 2.2.2 射程与投影射程理论 | 第29-30页 |
| 2.2.3 单晶靶中的射程分布和沟道效应 | 第30-34页 |
| 2.2.4 锥角效应 | 第34-36页 |
| 2.2.5 其他效应 | 第36-38页 |
| 2.2.6 离子注入工艺参数 | 第38页 |
| 2.3 离子注入的评估测量方法 | 第38-41页 |
| 2.3.1 红外热波检测方法 | 第38-40页 |
| 2.3.2 二次离子质谱测试方法 | 第40-41页 |
| 第三章 高能注入的角度与杂质分布研究 | 第41-48页 |
| 3.1 半导体中的高能注入工艺 | 第41-43页 |
| 3.2 实验设计与结果分析 | 第43-47页 |
| 3.3 分析与讨论 | 第47-48页 |
| 第四章 高能注入的角度与电特性关系研究 | 第48-61页 |
| 4.1 双倾角注入实验设计 | 第48-49页 |
| 4.2 双倾角注入实验结果分析 | 第49-54页 |
| 4.3 大批量验证 | 第54-59页 |
| 4.4 讨论和总结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 附录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
