基于700V SOI工艺平台的0.5μm标准单元库的设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·标准单元库的建库背景和意义 | 第9页 |
| ·标准单元库设计概论 | 第9-14页 |
| ·标准单元库的发展及特点 | 第10-11页 |
| ·标准单元库的组成 | 第11-13页 |
| ·标准单元库的性能 | 第13-14页 |
| ·标准单元库的发展趋势 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作内容 | 第15-16页 |
| 第二章 SOI 工艺的概述 | 第16-19页 |
| ·SOI 工艺的特点 | 第16-17页 |
| ·SOI 技术的挑战 | 第17页 |
| ·小结 | 第17-19页 |
| 第三章 标准单元库的设计 | 第19-49页 |
| ·标准单元库的设计流程 | 第19-21页 |
| ·电路库设计 | 第21-33页 |
| ·电路图中器件尺寸的确立 | 第21-29页 |
| ·电路图库的建立 | 第29-31页 |
| ·电路图库网表的导出 | 第31-33页 |
| ·版图库设计 | 第33-41页 |
| ·版图库的设计规则 | 第33页 |
| ·版图库的设计生成 | 第33-38页 |
| ·版图库的验证 | 第38页 |
| ·版图库的寄生参数的提取及电路的后仿真 | 第38-41页 |
| ·符号库设计 | 第41-42页 |
| ·标准单元特征化 | 第42-48页 |
| ·标准单元特征化的流程以及原理 | 第42-43页 |
| ·时序模型 | 第43-45页 |
| ·功耗模型 | 第45-46页 |
| ·库的生成 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第四章 标准单元库的优化 | 第49-56页 |
| ·标准单元库优化的原理 | 第49-50页 |
| ·标准单元库版图库的优化 | 第50-52页 |
| ·标准单元优化前后的仿真对比 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第五章 对于简单单元的级联及环振的仿真及流片 | 第56-69页 |
| ·反相器的串联设计及分析 | 第56-62页 |
| ·反相器的环振设计及分析 | 第62-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结束语 | 第69-71页 |
| ·本文总结 | 第69页 |
| ·下一步工作的展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第74-75页 |
