五氧化二钽MOS器件的电学特性及稳定性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·研究Ta_2O_5高介电薄膜的意义及其研究进展 | 第11-14页 |
| ·研究Ta_2O_5高介电薄膜的意义 | 第11-12页 |
| ·Ta_2O_5高介电薄膜的研究进展 | 第12-14页 |
| ·本文研究内容 | 第14-15页 |
| 2 五氧化二钽高介电薄膜的生长和表征方法 | 第15-33页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第15-18页 |
| ·磁控溅射的原理介绍 | 第15-17页 |
| ·磁控溅射仪设备简述 | 第17-18页 |
| ·Ta_2O_5高介电薄膜的制备过程 | 第18-21页 |
| ·试片预处理 | 第18-19页 |
| ·薄膜制备过程 | 第19-20页 |
| ·退火 | 第20-21页 |
| ·MOS结构的C-V特性 | 第21-29页 |
| ·理想MOS结构C-V特性 | 第21-24页 |
| ·MOS结构中的电荷 | 第24-29页 |
| ·频散效应 | 第29页 |
| ·MOS结构的I-V特性 | 第29-33页 |
| ·电流的输运过程 | 第29-30页 |
| ·热电子发射理论 | 第30页 |
| ·隧穿电流与少数载流子注入 | 第30-31页 |
| ·欧姆接触 | 第31页 |
| ·理想MOS结构的I-V特性 | 第31-33页 |
| 3 Ta_2O_5高介电薄膜的实验结果及讨论 | 第33-51页 |
| ·实验方案设计 | 第33页 |
| ·实验结果的分析 | 第33-51页 |
| ·不同退火温度下C-V特性结果及分析 | 第34-35页 |
| ·两种不同的导电机理 | 第35-39页 |
| ·不同测量温度下五氧化二钽的I-V特性 | 第39-40页 |
| ·不同退火温度样品测试结果的对比 | 第40-44页 |
| ·器件的稳定性 | 第44-51页 |
| 4 总结和未来前景展望 | 第51-53页 |
| ·总结 | 第51-52页 |
| ·未来研究方向展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
