基于自组装金属纳米晶MOS电容存储效应及其机理的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-13页 |
| ·SONOS存储器 | 第10-11页 |
| ·纳米晶存储器 | 第11-13页 |
| ·金属纳米晶存储器的结构及工作原理 | 第13-15页 |
| ·读出机制 | 第13-14页 |
| ·编程、擦除机制 | 第14-15页 |
| ·保存机制 | 第15页 |
| ·金属纳米晶存储器的制备工艺 | 第15-17页 |
| ·快速热退火 | 第16-17页 |
| ·淀积自组装法 | 第17页 |
| ·混合淀积法 | 第17页 |
| ·离子注入法 | 第17页 |
| ·研究意义及主要内容 | 第17-19页 |
| 2. 镍金属纳米晶MOS电容存储机制的理论模拟 | 第19-33页 |
| ·瞬时电学模型 | 第19-26页 |
| ·库仑阻塞与量子限制效应 | 第20-21页 |
| ·MOS结构中各层电场强度与电压 | 第21-22页 |
| ·电荷注入机制 | 第22-24页 |
| ·电荷移除机制 | 第24-25页 |
| ·电学性质 | 第25-26页 |
| ·模拟结果讨论 | 第26-31页 |
| ·存储特性 | 第26-27页 |
| ·C-V曲线模拟 | 第27-31页 |
| ·脉冲 | 第31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 3. 快速热退火法制备镍金属纳米晶 | 第33-44页 |
| ·前言 | 第33-37页 |
| ·磁控溅射原理及设备介绍 | 第33-35页 |
| ·快速升温炉 | 第35页 |
| ·真空镀膜 | 第35-36页 |
| ·薄膜物性表征 | 第36-37页 |
| ·MOS结构电学性质 | 第37页 |
| ·镍纳米晶MOS电容的制备 | 第37-39页 |
| ·基片预处理 | 第37-38页 |
| ·样品制备过程 | 第38-39页 |
| ·实验结果分析 | 第39-43页 |
| ·不同退火条件对镍纳米晶表面形貌的影响 | 第39-41页 |
| ·C-V曲线和电荷存储特性 | 第41-42页 |
| ·I-V曲线 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 4. 淀积自组装法制备镍金属纳米晶 | 第44-52页 |
| ·淀积自组装法制备金属纳米晶 | 第44-46页 |
| ·机理研究 | 第44-45页 |
| ·实验方案 | 第45-46页 |
| ·实验结果研究 | 第46-51页 |
| ·扫描电压范围对C-V曲线和存储窗口的影响 | 第46-47页 |
| ·生长温度对C-V曲线和存储窗口的影响 | 第47-49页 |
| ·脉冲操作对C-V曲线和存储窗口的影响 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 5. 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
