| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 射频微电子封装技术的发展 | 第11-14页 |
| 1.2 基于TSV的三维射频集成技术的研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3 课题来源及本文研究目标 | 第19-20页 |
| 1.3.1 课题来源 | 第19页 |
| 1.3.2 选题意义与研究目标 | 第19-20页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 TSV三维射频集成低损耗转接板设计 | 第21-35页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 传输线基础理论 | 第22-23页 |
| 2.3 低损耗射频TSV通孔设计 | 第23-25页 |
| 2.3.1 材料特性 | 第23-24页 |
| 2.3.2 结构设计 | 第24-25页 |
| 2.4 TSV接地孔阵列的共面波导传输线设计 | 第25-31页 |
| 2.4.1 带有TSV阵列接地的共面波导传输线结构设计 | 第25-27页 |
| 2.4.2 TSV接地孔的位置优化 | 第27-28页 |
| 2.4.3 共面波导传输线长度对电学性能的影响 | 第28-30页 |
| 2.4.4 TSV射频过孔冗余设计 | 第30-31页 |
| 2.5 HFSS仿真分析工艺加工误差对传输线性能的影响 | 第31-32页 |
| 2.6 小结 | 第32-35页 |
| 第三章 TSV三维射频集成转接板的工艺设计与制造 | 第35-53页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 TSV三维射频集成转接板的工艺流程设计 | 第35-37页 |
| 3.3 TSV三维射频集成转接板的加工方法研究以及样品制备 | 第37-49页 |
| 3.3.1 双面深反应离子刻蚀高阻硅通孔工艺 | 第38-40页 |
| 3.3.2 热氧化形成致密绝缘层工艺 | 第40页 |
| 3.3.3 图形化电镀铜形成双面RDL金属层工艺 | 第40-47页 |
| 3.3.4 化学镀镍金工艺 | 第47-48页 |
| 3.3.5 表面BCB钝化工艺 | 第48-49页 |
| 3.3.6 划片 | 第49页 |
| 3.4 TSV三维射频集成转接板关键工艺监测与优化 | 第49-52页 |
| 3.5 小结 | 第52-53页 |
| 第四章 TSV转接板电学性能评估与演示样机的组装测试 | 第53-69页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 低损耗TSV转接板集成测试结构的电学性能测试 | 第53-62页 |
| 4.2.1 测试样品状态与测试前的检查 | 第53-54页 |
| 4.2.2 测试结构的电学测试结果 | 第54-62页 |
| 4.3 低损耗转接板集成演示样机的组装测试 | 第62-68页 |
| 4.3.1 单通道演示样机的结构介绍 | 第62页 |
| 4.3.2 单通道演示样机的装配 | 第62-64页 |
| 4.3.3 演示样机的电学测试结果 | 第64-68页 |
| 4.4 小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 硕士期间发表的学术成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
