| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第14-17页 |
| 1.1.1 抗辐射电路研发需求 | 第14-15页 |
| 1.1.2 辐射环境 | 第15-16页 |
| 1.1.3 电离辐射效应 | 第16-17页 |
| 1.2 单粒子效应及其诱导的电荷共享效应 | 第17-21页 |
| 1.2.1 电荷的产生和收集 | 第17-18页 |
| 1.2.2 单粒子效应 | 第18-19页 |
| 1.2.3 电荷共享效应及其研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第21页 |
| 1.4 本文组织结构 | 第21-23页 |
| 第二章 电荷共享效应物理建模 | 第23-32页 |
| 2.1 Sentaurus TCAD软件简介 | 第23页 |
| 2.2 器件模拟原理 | 第23-27页 |
| 2.2.1 器件模型 | 第23-24页 |
| 2.2.2 离子轨迹模型 | 第24-25页 |
| 2.2.3 模拟方法 | 第25-27页 |
| 2.3 三维器件模型的建立 | 第27-30页 |
| 2.4 混合仿真模型的建立 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 不同因素对电荷共享的影响 | 第32-46页 |
| 3.1 STI深度对电荷共享的影响 | 第32-37页 |
| 3.1.1 模拟设置 | 第32-33页 |
| 3.1.2 仿真结果及分析 | 第33-37页 |
| 3.2 粒子入射角度对NMOS间电荷共享影响 | 第37-40页 |
| 3.2.1 仿真设置 | 第37页 |
| 3.2.2 仿真结果及分析 | 第37-40页 |
| 3.3 N型深阱对NMOS间电荷共享影响 | 第40-45页 |
| 3.3.1 仿真设置 | 第40页 |
| 3.3.2 仿真结果 | 第40-42页 |
| 3.3.3 电荷收集分析 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 40 nm工艺NMOS电荷共享对SET/SEU的影响 | 第46-62页 |
| 4.1 40 nm工艺中电荷共享对SET脉宽的影响 | 第46-50页 |
| 4.1.1 仿真设置 | 第46-47页 |
| 4.1.2 仿真结果及分析 | 第47-50页 |
| 4.2 电荷共享对SRAM单元SEU的影响 | 第50-58页 |
| 4.2.1 仿真设置 | 第50-51页 |
| 4.2.2 仿真结果及分析 | 第51-58页 |
| 4.3 利用电荷共享对SRAM单元SEU加固方法研究 | 第58-61页 |
| 4.3.1 NMOS版图加固方法研究 | 第58-60页 |
| 4.3.2 NMOS版图调整后效果验证 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 40 nm工艺中抑制NMOS电荷收集方法研究 | 第62-77页 |
| 5.1“保护漏”结构对电荷收集的影响 | 第62-64页 |
| 5.2 新型结构对NMOS电荷收集的抑制 | 第64-70页 |
| 5.2.1“漏区墙”结构 | 第65-66页 |
| 5.2.2“漏区墙”结构工艺实现 | 第66页 |
| 5.2.3“漏区墙”结构仿真 | 第66-70页 |
| 5.3“漏区墙”结构对NMOS间电荷共享的抑制作用 | 第70-73页 |
| 5.4“漏区墙”结构对SRAM SEU和MBU影响研究 | 第73-76页 |
| 5.5 本章小节 | 第76-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 研究结论 | 第77页 |
| 6.2 研究展望 | 第77-79页 |
| 附录 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第88-89页 |
