摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 毫米波功率合成技术介绍 | 第10-11页 |
1.2 毫米波功率合成技术国内外发展动态 | 第11-16页 |
1.2.1 理论研究进展 | 第11-12页 |
1.2.2 实验研究进展 | 第12-16页 |
1.3 基于SIW毫米波功率合成技术研究进展 | 第16-18页 |
1.4 本文的结构安排 | 第18-19页 |
第二章 W波段基片集成波导宽带过渡研究 | 第19-32页 |
2.1 基片集成波导概述 | 第19-25页 |
2.1.1 基片集成波导基本原理 | 第19-20页 |
2.1.2 基片集成波导与矩形波导的等效分析 | 第20-21页 |
2.1.3 基片集成波导结构研究 | 第21-25页 |
2.2 基片集成波导到矩形波导过渡的宽带过渡 | 第25-29页 |
2.2.1 理论分析 | 第25-26页 |
2.2.2 探针过渡设计 | 第26-29页 |
2.3 背靠背过渡测试及测试误差分析 | 第29-31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 基于单层SIW的功率合成技术研究 | 第32-49页 |
3.1 单层SIW二进制功率合成器设计 | 第32-39页 |
3.1.1 T型结设计 | 第32-34页 |
3.1.2 SIW拐弯设计 | 第34-36页 |
3.1.3 四路二进制功率合成器设计 | 第36-39页 |
3.2 基于开槽SIW的行波功率合成技术 | 第39-48页 |
3.2.1 开槽SIW分析方法 | 第39-41页 |
3.2.2 行波功率合成理论 | 第41-42页 |
3.2.3 开槽SIW-微带行波耦合独立单元设计 | 第42-44页 |
3.2.4 四路开槽SIW行波功率合成器设计 | 第44-48页 |
3.3 本章小结 | 第48-49页 |
第四章 基于多层SIW的功率合成技术研究 | 第49-65页 |
4.1 基于双层SIW耦合器的四路功率合成器设计 | 第49-57页 |
4.1.1 定向耦合器技术指标 | 第49-51页 |
4.1.2 双层SIW耦合器设计 | 第51-53页 |
4.1.3 双层SIW四路功率合成器设计 | 第53-57页 |
4.2 基于多层SIW-RW过渡结构的四路功率合成器设计 | 第57-64页 |
4.2.1 多层SIW-RW过渡结构 | 第57-59页 |
4.2.2 四路功率合成器仿真设计 | 第59-61页 |
4.2.3 背靠背过渡测试 | 第61-64页 |
4.3 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 总结与展望 | 第65-68页 |
5.1 全文总结 | 第65-66页 |
5.2 下一步工作建议及展望 | 第66-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-77页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第77-78页 |