首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

大功率LED封装和硅通孔三维封装工艺及可靠性数值仿真与试验研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
第一章 绪论第11-35页
   ·课题目的和意义第11-12页
   ·电子封装的发展第12-16页
   ·电子封装工艺及可靠性设计第16-32页
   ·本文研究内容第32-35页
第二章 封装材料性能测试与分析第35-58页
   ·硅胶粘弹性动态热机械测试第35-44页
   ·硅通孔电镀铜力学性能纳米压痕测试第44-57页
   ·本章小结第57-58页
第三章 大功率 LED 封装热超声键合工艺试验及分析第58-82页
   ·大功率 LED 封装热超声键合工艺试验第58-62页
   ·大功率 LED 封装热超声键合工艺分析第62-80页
   ·本章小结第80-82页
第四章 大功率 LED 封装热冲击可靠性试验及分析第82-105页
   ·大功率 LED 封装热冲击可靠性试验第82-84页
   ·大功率 LED 封装热冲击可靠性失效机制分析第84-88页
   ·大功率 LED 封装热冲击可靠性分析第88-103页
   ·本章小结第103-105页
第五章 硅通孔技术关键工艺试验及分析第105-135页
   ·硅通孔技术关键工艺试验第105-118页
   ·硅通孔电镀工艺分析及试验第118-133页
   ·本章小结第133-135页
第六章 硅通孔热应力测试及热机械可靠性分析第135-165页
   ·硅通孔残余应力拉曼光谱测试与分析第135-142页
   ·硅通孔热机械可靠性设计第142-147页
   ·硅通孔三维芯片堆叠封装热机械可靠性设计第147-164页
   ·本章小结第164-165页
第七章 硅通孔电迁移可靠性仿真分析第165-177页
   ·电迁移物理模型第165-167页
   ·硅通孔结构电迁移数值仿真分析第167-175页
   ·本章小结第175-177页
第八章 总结与展望第177-181页
致谢第181-182页
参考文献第182-196页
已发表论文第196-200页
上海交通大学博士学位论文答辩决议书第200页

论文共200页,点击 下载论文
上一篇:基因MYT1L、FGFR2与三种常见精神疾病共病风险的关联研究
下一篇:基于时空一致性建模的Wyner-Ziv视频编码技术与应用