利用等离子体表面预处理改善光掩模IP胶显影工艺特性
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-11页 |
| 1 前言 | 第11-24页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·集成电路光刻掩模版及其加工工艺简介 | 第11-15页 |
| ·集成电路掩模版制备光刻胶简介 | 第15-16页 |
| ·I 线与G 线的光刻胶性能简介 | 第16-17页 |
| ·集成电路中的清洗技术简介 | 第17-20页 |
| ·本论文研究背景与意义 | 第20-22页 |
| ·本论文的研究方向和内容 | 第22-23页 |
| ·本论文的章节安排 | 第23-24页 |
| 2 等离子体预处理对IP 胶浸润性的影响分析 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·缺陷原因模式分析 | 第24页 |
| ·光刻胶亲水性的界定 | 第24-26页 |
| ·DNQ 型胶常用的显影液成分 | 第26页 |
| ·DNQ 型胶亲水性研究及提高亲水性的方法 | 第26-28页 |
| ·等离子体处理提高掩模版显影特性的理论分析 | 第28-30页 |
| ·等离子预处理实验设定 | 第30-32页 |
| ·等离子预处理实验结果分析 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 3 等离子体预处理对掩模版其它工艺特性的影响分析 | 第36-43页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·等离子体表面处理后胶体厚度影响 | 第36-37页 |
| ·等离子体处理对掩模版表面颗粒污染的影响 | 第37-38页 |
| ·等离子预处理对IP 胶显影均匀性的影响 | 第38-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 等离子体预处理对掩模版最终良率的影响分析 | 第43-47页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·缺陷情况 | 第43-44页 |
| ·图形分辨率 | 第44-45页 |
| ·产品成品率 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 5 结论与展望 | 第47-49页 |
| ·本文总结 | 第47页 |
| ·下一步研究计划和研究展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第53-56页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第56页 |
