Cu/低k互连系统可靠性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·集成电路互连技术的发展现状 | 第9-11页 |
| ·集成电路互连技术 | 第9-10页 |
| ·国内外研究状况 | 第10-11页 |
| ·论文的研究意义 | 第11-13页 |
| ·论文的主要工作及内容编排 | 第13-15页 |
| 第二章 集成电路互连技术 | 第15-27页 |
| ·第一代互连技术－铝互连工艺 | 第15-16页 |
| ·第二代互连技术－Cu/低k 互连 | 第16-21页 |
| ·铜互连工艺 | 第16-18页 |
| ·低k 层间介质材料 | 第18-21页 |
| ·铜/低k 互连集成工艺 | 第21页 |
| ·Cu/低k 互连系统关键工艺 | 第21-26页 |
| ·阻挡层材料技术 | 第22-23页 |
| ·Cu 工艺 | 第23页 |
| ·Cu 的CMP 平坦化技术 | 第23-25页 |
| ·低k 介质与铜互连集成工艺的可靠性问题 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 Cu 互连系统电迁移失效研究 | 第27-39页 |
| ·电迁移原理 | 第27-29页 |
| ·基本测试结构及方法 | 第29-31页 |
| ·基本测试结构 | 第29-30页 |
| ·电迁移测试方法 | 第30-31页 |
| ·电迁移外推法 | 第31页 |
| ·短尺寸效应 | 第31-32页 |
| ·电迁移界面扩散机制 | 第32-34页 |
| ·改善电迁移特性的措施 | 第34-36页 |
| ·Cu 合金法 | 第34页 |
| ·添加金属表面覆盖层 | 第34-35页 |
| ·表面处理 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 Cu 互连系统应力迁移失效研究 | 第39-55页 |
| ·应力迁移理论 | 第39-40页 |
| ·有限元分析方法及软件简介 | 第40-42页 |
| ·有限元分析方法简介 | 第40-41页 |
| ·ANSYS 软件简介 | 第41页 |
| ·ABAQUS 软件简介 | 第41-42页 |
| ·ANSYS 有限元分析 | 第42-47页 |
| ·有限元模型 | 第42-43页 |
| ·单双孔结构对残余应力的影响 | 第43-44页 |
| ·通孔直径对残余应力的影响 | 第44-45页 |
| ·铜线余量对残余应力的影响 | 第45-46页 |
| ·线宽对残余应力的影响 | 第46页 |
| ·介质材料对残余应力的影响 | 第46-47页 |
| ·ABAQUS 有限元分析 | 第47-52页 |
| ·有限元模型 | 第47-48页 |
| ·互连应力分布 | 第48-49页 |
| ·通孔直径对应力分布的影响 | 第49-50页 |
| ·铜线余量对应力分布的影响 | 第50-51页 |
| ·双通孔结构应力分布情况 | 第51页 |
| ·层间介质介电常数对应力分布的影响 | 第51-52页 |
| ·实验及结果分析 | 第52-54页 |
| ·实验方法简介 | 第52-53页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 研究成果 | 第62-63页 |
