电子束处理多晶硅粉体除杂的工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-32页 |
| ·立题背景 | 第9-14页 |
| ·光伏发展及太阳能级多晶硅的重大需求 | 第9-12页 |
| ·太阳能级多晶硅的制备技术概述 | 第12-14页 |
| ·冶金法提纯多晶硅工艺 | 第14-20页 |
| ·冶金法发展历程 | 第14-17页 |
| ·冶金法提纯基本方法 | 第17-20页 |
| ·冶金法生产技术路线及问题分析 | 第20-25页 |
| ·冶金法提纯的技术路线 | 第20-21页 |
| ·冶金法产业化竞争力分析 | 第21-24页 |
| ·现有冶金法技术路线存在的问题及对策分析 | 第24-25页 |
| ·电子束提纯工艺介绍 | 第25-30页 |
| ·电子束熔炼提纯多晶硅研究进展 | 第25-27页 |
| ·现有电子束熔炼局限性及新技术的提出 | 第27-30页 |
| ·本文研究的主要目的及内容 | 第30-32页 |
| 2 电子束提纯新工艺的理论基础与实验设备 | 第32-47页 |
| ·电子束提纯新工艺的理论分析 | 第32-38页 |
| ·电子束注入除金属的理论分析 | 第32-34页 |
| ·电子束粉体熔炼高效除杂的理论分析 | 第34-38页 |
| ·电子束提纯新工艺的实验设备 | 第38-41页 |
| ·样品制备设备 | 第38-41页 |
| ·材料制样及清洁设备 | 第41页 |
| ·材料的评价方法 | 第41-47页 |
| ·P-N型测试原理及设备 | 第41-43页 |
| ·电阻率测试原理及设备 | 第43-44页 |
| ·ICP-MS纯度测试 | 第44-45页 |
| ·多晶硅中杂质与电阻率、pn型的关系 | 第45-47页 |
| 3 电子束注入多晶硅粉体去除金属杂质的工艺研究 | 第47-61页 |
| ·概述 | 第47-48页 |
| ·电子束注入实验设备和步骤 | 第48-52页 |
| ·电子束注入实验设备 | 第48-49页 |
| ·实验步骤 | 第49-52页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第52-59页 |
| ·电子束注入硅粉的形貌分析 | 第52-54页 |
| ·电子束注入多晶硅粉体除杂效果分析 | 第54-55页 |
| ·金属杂质扩散系数对除杂效果的影响 | 第55-58页 |
| ·电子束注入时间对除杂效果的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 4 电子束熔炼多晶硅粉体去除挥发性杂质的工艺研究 | 第61-77页 |
| ·电子束熔炼多晶硅粉体的可行性探索与分析 | 第61-64页 |
| ·概述 | 第61-62页 |
| ·电子束粉体熔炼可行性探索实验 | 第62-64页 |
| ·电子束粉体熔炼可行性计算分析 | 第64-70页 |
| ·电子束熔炼多晶硅粉体的实验设备和步骤 | 第70-72页 |
| ·实验结果与分析 | 第72-76页 |
| ·电子束粉体和块体熔炼硅锭的形貌分析 | 第72-75页 |
| ·电子束粉体熔炼硅锭的PN型及电阻率分析 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第83-84页 |
| 攻读硕士期间申请及授权的专利情况 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
