| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·课题研究背景 | 第12-23页 |
| ·MOS 技术发展回顾 | 第12-15页 |
| ·55 纳米后段引入金属硬掩模层的双大马士革一体化工艺 | 第15-23页 |
| ·课题研究内容和拟解决的关键问题 | 第23-24页 |
| ·课题的研究方法、设计及试验方案 | 第24-25页 |
| 第二章 55 纳米后段工艺集成中出现的空洞问题 | 第25-34页 |
| ·55 纳米后段工艺集成中出现的空洞问题 | 第25-32页 |
| ·55 纳米后段工艺集成中出现的空洞问题现象描述 | 第25-26页 |
| ·55 纳米后段工艺集成中出现的空洞问题的环境研究 | 第26-30页 |
| ·55 纳米后段工艺集成中出现的空洞问题的工艺研究 | 第30-32页 |
| ·55 纳米后段工艺集成中出现的空洞问题的原因分析 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 光刻工艺对金属连线空洞缺陷的影响研究 | 第34-42页 |
| ·光刻工艺的基本原理 | 第34-35页 |
| ·光刻工艺对金属连线工艺的影响研究 | 第35-39页 |
| ·通过光刻工艺解决金属连线空洞缺陷的研究 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 刻蚀工艺对金属连线空洞缺陷的影响研究 | 第42-49页 |
| ·刻蚀工艺的基本原理 | 第42-43页 |
| ·通过刻蚀工艺解决金属连线空洞缺陷的研究 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 薄膜工艺对金属连线空洞缺陷的影响研究 | 第49-57页 |
| ·薄膜工艺的基本原理 | 第49页 |
| ·通过薄膜工艺解决金属连线空洞缺陷的研究 | 第49-52页 |
| ·低应力氮化钛薄膜的物理以及工艺特性考察 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 结束语 | 第57-58页 |
| ·主要工作与创新点 | 第57页 |
| ·后续研究工作 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第61页 |
