| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| ·CMOS 集成电路的发展史 | 第12页 |
| ·CMOS 集成电路的发展趋势 | 第12-13页 |
| ·CMOS 集成电路面临的挑战 | 第13-16页 |
| ·亚微米 MOS 器件结构及其工艺对器件性能的影响 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-19页 |
| 第二章 POLY DOSE MAP | 第19-27页 |
| ·Poly CD 不均匀的来源 | 第19页 |
| ·Poly CD 的补偿方法 | 第19-20页 |
| ·实验流程 | 第20-25页 |
| ·机台稳定性的实验数据： | 第21-22页 |
| ·dose map 在控片上的实验数据 | 第22-23页 |
| ·dose map 在工程晶圆上的实验数据 | 第23-25页 |
| ·dose map 程序的监控 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 氮和碳 CO-IMP | 第27-32页 |
| ·为什么使用氮和碳 Co-IMP | 第27页 |
| ·C Co-IMP 抑制扩散的能力 | 第27-29页 |
| ·N Co-IMP 对 STI 效应的影响 | 第29-30页 |
| ·C 和 N Co-IMP 对器件饱和电流均匀性的影响 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 低温离子注入 | 第32-38页 |
| ·为何选用低温离子注入 | 第32页 |
| ·低温离子注入的优势和机理 | 第32-35页 |
| ·低温离子注入对器件饱和电流均匀性的影响 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 离子随机波动 | 第38-44页 |
| ·40nm 工艺中不稳定性来源的分析 | 第38-39页 |
| ·离子随机波动对 40nm 工艺所造成的影响 | 第39-40页 |
| ·如何验证离子随机波动的影响 | 第40-42页 |
| ·离子随机波动对不稳定性的后续研究 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第六章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第50页 |