| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| ·集成电路的发展史 | 第6-9页 |
| ·去胶工艺发展 | 第9-10页 |
| ·小结 | 第10-12页 |
| 第二章 干法去胶工艺 | 第12-23页 |
| ·光刻胶简介 | 第12-20页 |
| ·干法去胶工艺简介 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第三章 去胶工艺中参数对速率影响的实验设计 | 第23-29页 |
| ·去胶过程中光刻胶残留引起的良率问题 | 第23页 |
| ·实验目的及意义 | 第23-24页 |
| ·实验材料和工具 | 第24-25页 |
| ·实验内容 | 第25-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第四章 去胶工艺中参数对速率影响的实验研究 | 第29-44页 |
| ·温度对去胶速率的影响 | 第29-32页 |
| ·射频功率对去胶速率的影响 | 第32-36页 |
| ·反应气体流量对去胶速率的影响 | 第36-39页 |
| ·反应压力对去胶速率的影响 | 第39-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |