基于CMOS工艺的高压MOSFET的研究
| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·不同结构的高压MOS器件 | 第8-12页 |
| ·三维结构 | 第8-11页 |
| ·二维横向结构 | 第11-12页 |
| ·高压MOS器件中的结终端技术 | 第12-16页 |
| ·场板及有关技术 | 第12-14页 |
| ·场限环 | 第14-15页 |
| ·RESUREF技术 | 第15-16页 |
| ·高压器件结构及设计方法的新进展 | 第16-19页 |
| ·本文的工作 | 第19-21页 |
| 第二章 模拟及测试 | 第21-41页 |
| ·模拟方法的介绍 | 第21-30页 |
| ·测试方法及原理的介绍 | 第30-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 高压器件的耐压分析 | 第41-55页 |
| ·雪崩击穿的基本原理 | 第41-45页 |
| ·碰撞电离率与雪崩击穿 | 第41-44页 |
| ·平行平面结的击穿电压与临界电场 | 第44-45页 |
| ·器件耐压机理分析 | 第45-46页 |
| ·高压器件采用的技术 | 第46-53页 |
| ·场板技术 | 第46-51页 |
| ·RESURF技术 | 第51-52页 |
| ·隔离技术 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 高压MOSFET的实现 | 第55-64页 |
| ·18V MOSFET的设计 | 第55-58页 |
| ·器件结构设计 | 第55-56页 |
| ·器件工艺设计 | 第56-57页 |
| ·器件版图设计 | 第57-58页 |
| ·30V MOSFET的设计 | 第58-61页 |
| ·器件结构设计 | 第59-60页 |
| ·器件工艺设计 | 第60-61页 |
| ·器件的版图设计 | 第61页 |
| ·30V器件与18V器件的比较 | 第61-62页 |
| ·结构设计上的区别 | 第61-62页 |
| ·工艺设计中的区别 | 第62页 |
| ·版图设计中的区别 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 高压MOSFET版图的设计规则 | 第64-73页 |
| ·高压MOSFET的结构 | 第64页 |
| ·高压MOSFET版图设计的参数 | 第64-65页 |
| ·具体规则的确定 | 第65-72页 |
| ·Lg的设计 | 第65-66页 |
| ·Ld的设计 | 第66-67页 |
| ·Lpdr的设计 | 第67-68页 |
| ·Lop的设计 | 第68页 |
| ·Ldb的设计 | 第68-69页 |
| ·Lb的设计 | 第69-70页 |
| ·Li的设计 | 第70-71页 |
| ·Wg的设计 | 第71页 |
| ·Lbp，Lw，Le的设计 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第78-79页 |
| 致 谢 | 第79页 |
