| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·GaN 材料与其异质结的微波优势 | 第9-12页 |
| ·GaN 材料的介绍 | 第9-10页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结微波功率的优势 | 第10-12页 |
| ·AlGaN/GaN 微波器件的研究进展 | 第12-15页 |
| ·国际上AlGaN/GaN 微波器件的发展历程 | 第12-14页 |
| ·国际上AlGaN/GaN 微波器件的新进展 | 第14页 |
| ·国内GaN 的研究情况 | 第14-15页 |
| ·本文的研究意义以及工作安排 | 第15-19页 |
| ·本文的研究意义 | 第15-16页 |
| ·本文的工作安排 | 第16-19页 |
| 第二章 空气桥的理论分析 | 第19-29页 |
| ·平板电容分析 | 第19-21页 |
| ·真空平行板电容器 | 第19-20页 |
| ·均匀电介质平行板电容器 | 第20-21页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 截止频率和最高振荡频率 | 第21-24页 |
| ·空气桥的受力分析 | 第24-26页 |
| ·平板结构空气桥受力分析 | 第24-25页 |
| ·拱形结构空气桥受力分析 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-29页 |
| 第三章 拱形空气桥的制作 | 第29-47页 |
| ·制作空气桥关键步骤介绍 | 第30-35页 |
| ·旋涂的光刻胶与光刻 | 第30-32页 |
| ·起镀层的沉积和电镀 | 第32-34页 |
| ·腐蚀工艺 | 第34-35页 |
| ·改进的空气桥制造方法介绍 | 第35-45页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 拱形牺牲层的制作 | 第35-39页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 起镀层的沉积和电镀区域的定义 | 第39-40页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的电镀 | 第40-43页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 掩膜层、起镀层、牺牲层的除去 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 多栅器件的制造与分析 | 第47-57页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 多栅器件的制造 | 第47-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 多栅器件关键工艺 | 第47-48页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 多栅器件的材料参数和工艺流程 | 第48-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 多栅器件特性 | 第50-53页 |
| ·直流特性和频率特性介绍 | 第50-51页 |
| ·器件特性参数的测量 | 第51-53页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 多栅器件空气桥测试与分析 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第67-68页 |
