| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 前言 | 第7-8页 |
| 1.2 微电子封装技术 | 第8-12页 |
| 1.2.1 微电子封装技术的发展历史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 微电子封装技术的现状及发展趋势 | 第10页 |
| 1.2.3 微电子封装互连技术 | 第10-12页 |
| 1.3 引线键合技术 | 第12-17页 |
| 1.3.1 引线键合的技术特点 | 第13-16页 |
| 1.3.2 Au丝球焊技术的发展情况 | 第16-17页 |
| 1.3.3 Au丝球焊技术面临的挑战 | 第17页 |
| 1.4 铜线键合技术 | 第17-19页 |
| 1.4.1 金属Cu与Au的性能及行为比较 | 第17-18页 |
| 1.4.2 铜线键合缺点及镀钯工艺 | 第18-19页 |
| 1.5 本课题的研究目的、意义与内容 | 第19-21页 |
| 1.5.1 研究目的与意义 | 第19页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 铜线键合Cu/Al界面IMC生长行为研究 | 第21-29页 |
| 2.1 Cu/Al界面IMC形成的生长动力学 | 第21页 |
| 2.2 固体原子的互扩散 | 第21-24页 |
| 2.3 Cu/Al界面金属间化合物(IMC)生长速率及活化能测定 | 第24-28页 |
| 2.3.1 Cu/Al界面IMC生长实验 | 第24-25页 |
| 2.3.2 实验结果及分析 | 第25-28页 |
| 2.4 Cu/Al界面与Au/Al界面金属间化合物生长比较 | 第28页 |
| 2.5 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 铜线键合Cu/Al界面IMC的微结构 | 第29-34页 |
| 3.1 TEM的工作原理及样品制备 | 第29-30页 |
| 3.1.1 TEM技术原理 | 第29-30页 |
| 3.1.2 TEM样品的制备 | 第30页 |
| 3.2 Cu-Al界面IMC的微结构TEM观测 | 第30-33页 |
| 3.3 小结 | 第33-34页 |
| 第四章 铜线键合Cu/Al界面IMC的力学性能 | 第34-45页 |
| 4.1 引线键合的力学性能测定 | 第34-37页 |
| 4.1.1 剪切实验 | 第34-36页 |
| 4.1.2 拉伸实验 | 第36-37页 |
| 4.2 铜线键合Cu/Al界面的剪切实验 | 第37-42页 |
| 4.2.1 键合工艺参数对Cu-Al界面力学性能的影响 | 第37-40页 |
| 4.2.2 热老化对键合强度的影响 | 第40-42页 |
| 4.3 铜线的柯肯达尔效应及其影响 | 第42-43页 |
| 4.4 铜线键合Cu/Al界面的拉伸实验 | 第43页 |
| 4.5 小结 | 第43-45页 |
| 第五章 镀Pd铜线的界面IMC性能 | 第45-61页 |
| 5.1 金属Pd及其性质 | 第45-46页 |
| 5.2 镀Pd铜线键合工艺中Pd的分布 | 第46-56页 |
| 5.2.1 FAB表面Pd的分布情况 | 第46-49页 |
| 5.2.2 键合界面处Pd的分布情况 | 第49-51页 |
| 5.2.3 IMC中Pd的分布情况 | 第51-56页 |
| 5.3 纯铜线和镀Pd铜线力学性能比较 | 第56-59页 |
| 5.3.1 纯铜线和镀Pd铜线剪切实验比较 | 第56-59页 |
| 5.3.2 纯铜线和镀Pd铜线拉伸实验比较 | 第59页 |
| 5.4 小结 | 第59-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
