| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 提高成品率的意义 | 第11页 |
| 1.2 提高成品率的方法 | 第11-12页 |
| 1.3 SRAM概述 | 第12-19页 |
| 1.3.1 简介 | 第12-13页 |
| 1.3.2 SRAM数据保持操作 | 第13页 |
| 1.3.3 SRAM写操作 | 第13-14页 |
| 1.3.4 SRAM读操作 | 第14-15页 |
| 1.3.5 SRAM 4T2R存储单元 | 第15-16页 |
| 1.3.6 SRAM 6T2R存储单元 | 第16-19页 |
| 1.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 CONTACT制程与对SRAM失效的影响 | 第20-26页 |
| 2.1 Contact各制程介绍 | 第20-24页 |
| 2.1.1 薄膜淀积 | 第20-21页 |
| 2.1.2 化学机械抛光 | 第21-22页 |
| 2.1.3 图形曝光显影 | 第22-23页 |
| 2.1.4 刻蚀 | 第23-24页 |
| 2.2 Contact制程问题与常见缺陷 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 分析工具介绍 | 第26-31页 |
| 3.1 缺陷扫描工具 | 第26-27页 |
| 3.2 工艺监控(PCM)测试工具 | 第27-28页 |
| 3.3 IC测试工具 | 第28-29页 |
| 3.4 失效分析工具 | 第29-30页 |
| 3.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 失效案例分析与结论 | 第31-38页 |
| 4.1 Contact与有源区对准偏移造成失效 | 第31-33页 |
| 4.2 Contact刻蚀不完全造成失效 | 第33-36页 |
| 4.3 Contact图形缺失造成失效 | 第36-37页 |
| 4.4 本草小结 | 第37-38页 |
| 第五章 失效案例分析与结论 | 第38-46页 |
| 5.1 Contact与有源区对准偏移分析与解决 | 第38-40页 |
| 5.2 Contact刻蚀不完全造成失效分析与解决 | 第40-43页 |
| 5.3 Contact图形缺失造成失效分析与解决 | 第43-45页 |
| 5.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 结束语 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第51页 |