| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 CMP技术 | 第11-17页 |
| 1.1.1 CMP技术的产生与发展 | 第11-13页 |
| 1.1.2 CMP技术的三大要素及主要指标 | 第13-16页 |
| 1.1.3 CMP技术的主要机理模型 | 第16-17页 |
| 1.2 过渡金属氧化物及在RRAM中的CMP研究 | 第17-18页 |
| 1.3 本论文的研究目的和意义 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 样品制备与实验测试表征 | 第20-34页 |
| 2.1 HfO_x和电极薄膜的制备及表征 | 第20-27页 |
| 2.1.1 HfO_x薄膜的制备 | 第20-21页 |
| 2.1.2 HfO_x薄膜表面形貌的表征 | 第21-23页 |
| 2.1.3 HfO_x薄膜表面化学键及成分的表征 | 第23-25页 |
| 2.1.4 HfO_x薄膜厚度的表征 | 第25-26页 |
| 2.1.5 电极的制备 | 第26-27页 |
| 2.2 HfO_x-CMP抛光液的配制 | 第27-29页 |
| 2.2.1 磨料及添加剂的选择 | 第27-29页 |
| 2.2.2 抛光液的配制及Zeta电位的表征 | 第29页 |
| 2.3 HfO_x-CMP实验及工艺参数的设定 | 第29-30页 |
| 2.4 HfO_x通孔结构的制备和电学性能的测试 | 第30-34页 |
| 2.4.1 光刻工艺及HfO_x通孔结构的制备 | 第30-33页 |
| 2.4.2 器件电学性能的测试 | 第33-34页 |
| 第三章HfO_x-CMP抛光液及工艺参数的研究 | 第34-51页 |
| 3.1 抛光液组分对HfO_x-CMP的影响 | 第34-41页 |
| 3.1.1 pH值 | 第34-37页 |
| 3.1.1.1 pH值对HfO_x-CMP的影响 | 第34-36页 |
| 3.1.1.2 pH值对HfO_x/SiO_2抛光选择比的影响 | 第36-37页 |
| 3.1.2 添加剂浓度 | 第37-40页 |
| 3.1.3 磨料粒径 | 第40-41页 |
| 3.2 工艺参数对HfO_x-CMP的影响 | 第41-45页 |
| 3.2.1 下压力 | 第42-43页 |
| 3.2.2 抛光盘转速 | 第43-45页 |
| 3.3 HfO_xCMP对不同尺寸通孔dishing的影响 | 第45-50页 |
| 3.4 小结 | 第50-51页 |
| 第四章 HfO_x-CMP机理的探索及阻变器件的制作 | 第51-65页 |
| 4.1 HfO_x-CMP机理的探索 | 第51-55页 |
| 4.1.1 Preston方程的修订 | 第51-52页 |
| 4.1.2 HfO_x薄膜表面化学反应的研究 | 第52-55页 |
| 4.2 基于HfO_x-CMP阻变器件的制作 | 第55-64页 |
| 4.2.1 器件结构设计及相关工艺 | 第55-60页 |
| 4.2.2 器件阻变性能的研究 | 第60-64页 |
| 4.3 小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
