| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| ·概述 | 第14-15页 |
| ·超临界二氧化碳(scCO_2) | 第15-23页 |
| ·scCO_2微乳液 | 第16-18页 |
| ·scCO_2在微电子领域的应用 | 第18-23页 |
| ·低k材料 | 第23-25页 |
| ·课题的选取 | 第25-26页 |
| 第二章 实验设备与测试分析方法 | 第26-37页 |
| ·实验设备 | 第26-30页 |
| ·scCO_2清洗设备系统 | 第26-27页 |
| ·旋涂仪 | 第27-28页 |
| ·电子束蒸发设备 | 第28-30页 |
| ·测试分析方法 | 第30-37页 |
| ·金相显微镜 | 第30页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| ·椭圆偏振光谱仪(SE) | 第31页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR) | 第31-32页 |
| ·X射线光电子能谱(X-Ray Photoelectron Spectroscopy,XPS) | 第32-33页 |
| ·原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM) | 第33-34页 |
| ·电容与电压关系测试(C-V Measurement) | 第34-35页 |
| ·光刻胶去除率的分析与计算 | 第35-37页 |
| 第三章 scCO_2去除表面及通孔内部光刻胶残留的性能研究 | 第37-65页 |
| ·实验样品的制备 | 第37页 |
| ·实验方法 | 第37-41页 |
| ·超临界清洗 | 第37-40页 |
| ·传统方法(SPM) | 第40-41页 |
| ·实验结果与影响因素讨论 | 第41-63页 |
| ·不同种类表面活性剂对光刻胶去除率的影响 | 第41-45页 |
| ·表面活性剂浓度和水含量对光刻胶去除率的影响 | 第45-47页 |
| ·助溶剂种类及用量对光刻胶去除率的影响 | 第47-49页 |
| ·清洗压强和反应温度对光刻胶去除率的影响 | 第49-53页 |
| ·磁搅拌和清洗时间对光刻胶去除率的影响 | 第53-56页 |
| ·与传统清洗方法的对比 | 第56-63页 |
| ·机理分析 | 第63-65页 |
| 第四章 scCO_2修复低k材料薄膜的性能研究 | 第65-74页 |
| ·实验样品的制备 | 第65-67页 |
| ·清洗衬底 | 第65-66页 |
| ·选择低k材料,旋涂成膜 | 第66-67页 |
| ·实验方法 | 第67页 |
| ·超临界处理 | 第67页 |
| ·退火处理 | 第67页 |
| ·传统方法处理及超临界修复 | 第67页 |
| ·实验结果与影响因素分析 | 第67-74页 |
| ·超临界处理 | 第69-70页 |
| ·退火处理 | 第70-71页 |
| ·传统方法处理及超临界修复 | 第71-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第83-84页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第84页 |
